Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten über die Bewilligungspflicht der Ausfuhr sowie die Überlassung oder die Vermittlung von Waren im Zollausland

```

hergestellt aus

rostfreiem Stahl oder

Molybdän, damit

ausgekleidet oder

palttiert (Anm.: richtig:

plattiert) und mit einer

Kühlfalle, die auf 193 K

(-80 Grad C) oder

weniger kühlen kann,

oder

```

```

hergestellt aus UF tief

6-resistenten

Materialien, damit

ausgekleidet oder

plattiert;

```

```

ausgestattet mit einer

Mikrofluorierungs-

Ionenquelle, konstruiert zur

Verwendung mit Aktiniden

oder Aktinidenfluoriden.

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

3B01 Ausrüstungen zur Herstellung

oder Prüfung von

Halbleiter-Bausteinen oder

-Materialien wie folgt und

speziell hierfür konstruierte

Bauelemente und Zubehöre:

```

```

Ausrüstungen zum epitaktischen

Wachsen wie folgt:

```

```

einer Gleichmäßigkeit von

besser als +-2,5% entlang

einer Strecke von 75 mm oder

mehr zu erzeugen;

```

```

chemischen Beschichtung aus

der Gasphase (MOCVD), speziell

konstruiert zum Ziehen von

Verbindungshalbleiter-

Kristallen mittels chemischer

Reaktion zwischen Materialien,

die von Nummer 3C03 oder 3C04

erfaßt sind;

```

```

zum epitaktischen Wachsen mit

Zuführung;

```

```

Ausrüstungen zur

Ionenimplantation mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

von mehr als 200 keV;

```

```

optimiert für einen Betrieb

bei Beschleunigungsspannungen

von weniger als 10 keV;

```

```

```

```

Sauerstoffimplantation in ein

erwärmtes Halbleiter-Substrat;

```

```

Anisotrop-Plasma-Ätz-

Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Kassetten-Verfahren mit

Schleuse, sowie mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

plasmaverstärkte

CVD-Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Verfahren mit Schleuse, sowie

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

multifunktionelle Systeme mit

gebündeltem Ionenstrahl,

speziell konstruiert zur

Fertigung, Reparatur, physischen

Layoutanalyse und Prüfung von

Masken oder

Halbleiter-Bauelementen, mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

mittels Rückmeldung vom Objekt

mit einer Genauigkeit von 0,25

mym oder kleiner; oder

```

```

einer Auflösung vom mehr als

12 Bit;

```

```

Mehrkammer-Wafer-Manipulatoren

mit Anschlüssen zum Beschichten,

an die mehr als zwei Halbleiter-

Bearbeitungsausrüstungen

angeschlossen werden können,

damit ein in einer

Vakuumumgebung integriertes

System zur sequentiellen

Mehrfach-Wafer-Bearbeitung

entsteht;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.f erfaßt keine

robotergesteuerten

Wafer-Manipulatoren, die nicht für

einen Betrieb in einer

Vakuumumgebung konstruiert sind.

```

```

```

```

Lithographieausrüstungen wie

folgt:

```

```

Step-and-repeat-Ausrüstungen

zur Wafer-Bearbeitung mit

photo-optischen oder

Röntgenstrahl-Methoden mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

kürzer als 400 nm;

```

```

von mehr als 0,40; oder

```

```

+-0,20 mym (3 Sigma) oder

besser;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.g erfaßt keine

Justier- und Belichtungs-Step-and-

repeat-Ausrüstungen, die alle

folgenden Merkmale aufweisen:

```

```

436 nm oder mehr;

```

```

oder weniger, und

```

```

oder weniger;

```

```

```

```

Ausrüstungen, speziell

konstruiert zur

Maskenherstellung oder

Halbleiter-Baulelemente-

Bearbeitung unter Verwendung

von gelenkten gebündelten

Elektronenstrahlen,

Ionenstrahlen oder

Laserstrahlen, mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

0,2 mym;

```

```

einer Auflösung von weniger

als 1 mym; oder

```

```

mehr als +/-0,20 mym

(3 Sigma);

h. Masken oder Strichplatten wie

folgt:

```

```

erfaßt in Nummer 3A01;

```

```

Phasenkompensationsschicht;

i. Speicherprogrammierbare

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

Halbleiter-Bauelementen und

nicht-gekapselten Chips wie

folgt:

```

```

von Transistor-Bauelementen

bei Frequenzen von mehr als 31

GHz;

```

```

Funktions(Wahrheitstabelle)-

Prüfung integrierter

Schaltungen und Baugruppen

hiervon bei einer

Änderungsgeschwindigkeit des

Bit-Musters von mehr als

40 MHz durchzuführen;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.2. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert für das Prüfen von:

```

```

Baugruppenklasse für Haushalts-

und Unterhaltungselektronik;

```

```

Bauteilen, Baugruppen oder

integrierten Schaltungen.

```

```

```

```

Mikrowellenschaltungen auf

Frequenzen von mehr als 3 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.3. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

integrierten

Mikrowellenschaltungen, die

ausschließlich in Standard-Bändern

der Zivilen Telekommunikation auf

Frequenzen von nicht mehr als

31 GHz arbeiten.

```

```

```

```

konstruiert für einen Betrieb

auf oder unter 3 keV, oder

Laserstrahlsysteme zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen Halbleiter-

Bauelementen mit beiden

folgenden Merkmalen:

```

```

Strahlverdunkelung oder

Detektorstroben, und

```

```

Elektronen-Spektrometer zur

Spannungsmessung mit einer

Auflösung von weniger als

0,5 V.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.4. erfaßt keine

Raster-Elektronenmikroskope,

ausgenommen wenn diese zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen

Halbleiter-Bauelementen speziell

konstruiert und instrumentiert

sind.

```

```

C. MATERIALIEN

3C01 Heteroepitaxiale Materialien,

die aus einem Substrat mit

geschichteten epitaxial

gewachsenen Mehrfachschichten

bestehen:

```

```

```

```

```

```

oder Indium.

```

```

ANMERKUNG:

III/V-Verbindungen sind

polykristalline oder binäre bzw.

komplexmonokristalline Erzeugnisse,

bestehend aus Elementen der Gruppe

IIIA und VA des Periodensystems der

chemischen Elemente

(Gallium-Arsenid,

Gallium-Aluminium-Arsenid,

Indium-Phosphid, usw.).

```

```

3C02 Photoresists und Substrate,

die mit vom Embargo erfaßten

Photoresists beschichtet sind.

```

```

zur Verwendung unter 370 nm

optimierten

Spektralempfindlichkeit;

```

```

mit Elektronenstrahlen oder

Ionenstrahlen und mit einer

Empfindlichkeit von

0,01 mycoulomb/mm2 oder besser;

```

```

mit Röntgenstrahlen und mit

einer Empfindlichkeit von

2,5 mJ/mm2 oder besser;

```

```

Oberflächenabbildungstechnolo-

gien, einschließlich Silyat

Photoresists.

```

```

ANMERKUNG:

Silyationstechniken sind als

Verfahren definiert, die eine

Oxidation der Photoresistoberfläche

beinhalten, um die Leistung sowohl

für Naß- als auch

Trockenentwicklung zu verbessern.

```

```

3C03 Metallorganische Verbindungen

aus Aluminium, Gallium oder

Indium mit einer Reinheit

(Metallbasis) von mehr als

99,999%.

3C04 Hydride aus Phosphor, Arsen

oder Antimon mit einer Reinheit

von mehr als 99,999%, auch bei

Lösung in Neutralgasen.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3C04 erfaßt keine Hydride,

die weniger als 20% Molarität an

Edelgasen oder Wasserstoff

enthalten.

```

```

D. SOFTWARE

3D01 Software, speziell

konstruiert zur Entwicklung oder

Herstellung von in Nummern

3A01.b bis 3A01.f, 3A02 und 3B01

erfaßten Ausrüstungen.

3D02 Software, speziell

konstruiert zur Verwendung von

in Nummer 3B01 erfaßten

speicherprogrammierbaren

Ausrüstungen.

3D03 Computer-Aided-Design-(CAD-)

Software für

Halbleiter-Bauelemente oder

integrierte Schaltungen mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Schaltungsüberprüfungsvor-

schriften;

```

```

Layouts der Schaltungen; oder

```

```

Bearbeitungssimulatoren für den

Entwurf.

```

```

ANMERKUNG:

Ein lithographischer

Bearbeitungssimulator ist ein

Softwarepaket, das in der

Entwurfsphase zur Definierung der

Abfolge von Lithographie-, Ätzungs-

und Sedimentationsschritten zur

Übertragung von Maskenmustern in

spezifische topographische Muster

bei Leitern, Dielektrika oder

Halbleitermaterialien verwendet

wird.

ANMERKUNG:

Nummer 3D03 erfaßt keine

Software, speziell konstruiert zur

Schemaeintragung, logischen

Simulation, Plazierung und Routing,

Layout-Überprüfung oder

Prozeßgenerations-Bandaufnahme;

ANMERKUNG:

Bibliotheken, Entwurfshilfen oder

zugehörige Daten zum Entwurf von

Halbleiter-Bauelementen oder

integrierten Schaltungen werden als

Technologie angesehen.

```

```

E. TECHNOLOGIE

3E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur

Entwicklung oder Herstellung von

Geräten oder Materialien, die in

den Nummern 3A01, 3A02, 3B01,

3C01, 3C02, 3C03 oder 3C04

erfaßt sind.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3E01 erfaßt keine

Technologie zur Entwicklung oder

Herstellung von:

```

```

bei Frequenzen von unter 31 GHz

arbeiten;

```

```

Nummer 3A01.a.3 bis a.11, die

beide folgende Merkmale

aufweisen:

```

```

mehr verwenden, und

```

```

beinhalten.

ANMERKUNG:

Diese Anmerkung schließt den

Export von Mehrschicht-Technologie

für Bauelemente, die höchstens zwei

Metallschichten und zwei

Polysiliciumschichten beinhalten,

nicht aus.

```

```

3E02 Andere Technologie zur

Entwicklung oder Herstellung

von:

```

```

Bauelemente;

```

```

Halbleiter-Bauelemente wie zB

modulations-dotierte

Feldeffekttransistoren (HEMT),

hetero-bipolare Transistoren

(HBT), Potentialtopf- oder

Superkristallgitter-Bauelemente;

```

```

Supraleiter-Bauelemente;

4 - RECHNER

```

```

```

---

```

ANMERKUNGEN: ANMERKUNG:

```

```

Software für Telekommunikations- Einrichtungen, die entwickelt

oder Local Area sind für den Gebrauch in

Network-Funktionen sind auch Raketensystemen der Nummer 9R01.

nach den Leistungsmerkmalen der --------------------------------

Gruppe 5 - Telekommunikation -

zu bewerten.

ANMERKUNGEN:

```

```

Kanäle von Zentraleinheiten,

Hauptspeichern oder

Plattensteuerungen direkt

verbinden, sind nicht als

Telekommunikationsgeräte nach

den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

zu bewerten.

```

```

Switching von datagram-Paketen

oder von fast select-Paketen

ermöglicht (dh. Richtungswahl je

Paket), oder Software, besonders

entwickelt für die

Paketvermittlung, ist in der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

erfaßt.

```

```

Software mit kryptographischen

bzw. kryptoanalytischen

Funktionen, zur Gewährleistung

verfügter vielstufiger

Sicherheit oder verfügten

Teilnehmerausschlüssen oder

Funktionen zur Limitierung

elektromagnetischer

Verträglichkeit (EMV) sind auch

nach den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Informationssicherung

- zu bewerten.

```

```

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

4A01 Elektronenrechner und 4R01 Analogrechner,

verwandte Geräte wie folgt sowie Digitalrechner oder digitale

Baugruppen und besonders Differentialanalysatoren,

konstruierte Bauteile hierfür: konstruiert oder modifiziert

```

```

Betrieb unter einer der im Systemen laut Nummer 9R01, mit

folgenden aufgezählten einer der nachfolgenden

Bedingungen: Charakteristiken:

```

```

Umgebungstemperaturen unterhalb bei Temperaturen von unter

228 K (-45 Grad C) oder oberhalb -45 Grad C bis über 55 Grad C;

343 K (+70 Grad C) oder b) konstruiert als robustes Gerät

oder „strahlungsgehärtet''.

```

```

ANMERKUNG:

Die Ausrüstung kann als Teil

eines bemannten Fluggeräts oder

Satelliten exportiert werden oder

in entsprechenden Stückzahlen als

Ersatzteile für bemannte

Fluggeräte.

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4A01.a.1 gilt nicht für

Rechner, besonders konstruiert zur

Verwendung in zivilen

Kraftfahrzeugen oder in der

Eisenbahnbetriebs-Elektronik.

```

```

```

```

Überschreitung eines der

folgenden Grenzwerte:

```

```

rad (Si);

```

```

Strahlungsdosis 5 x 10 hoch

8 rad (Si); oder

```

```

-7 Bitfehler je Tag;

```

```

Funktionen, die die Grenzwerte

der Gruppe 5 -

Informationssicherung -

überschreiten.

4A02 Hybridrechner wie folgt sowie

Baugruppen und besonders

konstruierte Bauteile hierfür:

```

```

Digitalrechnern,

```

```

Digital/Analog-Wandlern, die

folgende Eigenschaften haben:

```

```

```

```

14 Bit (ohne Vorzeichen) bei

Umwandlungsfrequenzen von

größer oder gleich

200 000 Umwandlungen/s.

4A03 Digitalrechner, Baugruppen

und verwandte Geräte wie folgt

und besonders konstruierte

Bauteile hierfür:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Vektorrechner, Array-Rechner,

Logikrechner und Geräte für

Bildverarbeitung oder

Signaldatenverarbeitung ein.

```

```

Nummer 4A03 beschriebenen

Digitalrechnern oder verwandten

Geräten richtet sich nach dem

Erfassungsstatus anderer Geräte

oder Systeme, sofern

```

```

verwandten Geräte wesentlich

sind für den Betrieb der

anderen Geräte oder Systeme,

```

```

verwandten Geräte nicht einen

Hauptbestandteil der anderen

Geräte oder Systeme darstellen

und

ERGÄNZENDE ANMERKUNG:

```

```

Nummer 4A03.g beschriebenen

Geräten zur

Signaldatenverarbeitung oder

Bildverarbeitung, besonders

konstruiert für (den Einbau in)

andere Einrichtungen unter

Einhaltung der

Funktionsgrenzwerte dieser

anderen Einrichtungen, wird

durch den Erfassungsstatus der

anderen Einrichtungen auch dann

bestimmt, wenn das Kriterium des

Hauptbestandteils nicht mehr

erfüllt ist.

```

```

Digitalrechnern oder verwandten

Geräten für

Telekommunikationseinrichtungen

richtet sich nach Gruppe 5 -

Telekommunikation -.

```

```

Digitalrechner und verwandten

Geräte in Nummer 4E geregelt

ist.

```

```

Geräte werden von Nummer 4A03

nicht erfaßt, sofern

```

```

medizinische Anwendungen,

```

```

Konstruktion und Leistung

maßgeblich auf medizinische

Anwendungen beschränkt ist,

```

```

anwenderzugängliche

Programmierbarkeit hat als die

Möglichkeit, Originalprogramme

oder geänderte Programme, die

vom Originalhersteller

geliefert werden, einzufügen,

```

```

theoretische Verarbeitungsrate

CTP eines Digitalrechners, der

nicht für die medizinische

Anwendung konstruiert oder

abgewandelt wurde, für diese

jedoch wesentlich ist, 20 Mio

TOPS (Millionen theoretischer

Operationen je Sekunde) nicht

überschreitet und

```

```

Digitalrechner oder verwandten

Geräte in Nummer 4E geregelt

ist.

```

```

```

```

Erkennen, Verstehen und

Interpretieren von Bildern oder

zusammenhängender Sprache,

```

```

Systeme mit Fehlertoleranz,

```

```

ANMERKUNG:

Digitalrechner und verwandte Geräte

gelten nicht als konstruiert oder

abgewandelt für Systeme mit

Fehlertoleranz im Sinne der

Nummer 4A03.b, wenn sie eine der

folgenden Funktionen verwenden:

```

```

Fehlerkorrekturalgorithmen im

Hauptspeicher

```

```

zweier Digitalrechner in der

Weise, daß bei Ausfall der

aktiven Zentraleinheit eine

mitlaufende Zentraleinheit die

Aufgaben des Systems fortführen

kann,

```

```

zweier Zentraleinheiten über

Datenkanäle oder gemeinsame

Speicher in der Weise, daß eine

mitlaufende Zentraleinheit bis

zum Ausfall der aktiven

Zentraleinheit andere Funktionen

ausführen kann und ab diesem

Zeitpunkt die Aufgaben des

Systems übernimmt, oder

```

```

Zentraleinheiten mittels

Software in der Weise, daß die

mitlaufende Zentraleinheit den

Ausfall der aktiven

Zentraleinheit erkennt, um dann

die Aufgaben der ausfallenden

Zentraleinheit zu übernehmen.

```

```

```

```

zusammengesetzten theoretischen

Verarbeitungsrate CTP von mehr

als 12,5 Mio TOPS (Millionen

theoretischer Operationen je

Sekunde),

```

```

konstruiert oder abgewandelt zum

Zwecke der Laufzeitverbesserung

durch Zusammenschalten von

Rechenelementen wie folgt:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Baugruppen und programmierbare

Zusammenschaltungen von

Rechenelementen, die die

Grenzwerte der Nummer 4A03.c

nicht überschreiten, soweit sie

in nicht-integriertem Zustand

(als einzelne Baugruppen)

geliefert werden. Nummer 4A03.d

gilt nicht für Baugruppen, die

(schon) aufgrund ihrer

Konstruktion auf eine Verwendung

als von Nummer 4A03.e bis k

erfaßte verwandte Geräte

beschränkt sind.

```

```

Baugruppen, besonders

konstruiert für Produkte oder

Produktfamilien, deren

Maximalkonfiguration den

Grenzwert der Nummer 4A03.c

nicht überschreiten.

```

```

```

```

Zusammenschluß von 16 oder

mehr Rechenelementen zu einer

Konfiguration; oder

```

```

maximalen gesamten Datenrate

größer als 40 Mbytes/s auf

allen zur Verfügung stehenden

Verbindungen eines

Rechenelements zu anderen

Rechenelementen;

```

```

Halbleiterspeicher wie folgt:

```

```

überschreibbare optische oder

magnetooptische Speicher mit

einer höchsten

Bit-Übertragungsrate größer

als 25 Mbit/s;

```

```

Hauptspeicher eingesetzt (auch

bekannt als „solid state

disks'' oder „RAM disks''),

mit einer höchsten Bit-

Übertragungsrate größer als 36

Mbit/s;

```

```

konstruiert zur Verwendung für

von Nummer 4A03.e erfaßte

Geräte,

```

```

Signaldatenverarbeitung oder

Bildverarbeitung mit einer

zusammengesetzten theoretischen

Verarbeitungsrate von mehr als

8,5 Mio TOPS (Millionen

theoretischer Operationen je

Sekunde),

```

```

Grafik-Coprozessoren mit einer

3-D Vektorrate größer als

400 000 oder, falls nur 2-D

Vektoren unterstützt werden, mit

einer 2-D Vektorrate größer als

600 000 Vektoren/s,

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4A03.h gilt nicht für

Arbeitsplätze, konstruiert für und

beschränkt auf

```

```

das Druckgewerbe oder

Verlagswesen, und

```

```

Vektoren.

```

```

```

```

mit einer Auflösung größer als

12 Bildpunkte/mm in Richtung der

größten Bildpunktdichte,

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Bildschirme oder Monitore, nicht

besonders konstruiert für

Elektronenrechner.

```

```

konstruiert für

Flugsicherungssysteme, werden

als besonders konstruierte

Bestandteile für

Flugsicherungssysteme der

Gruppe 6 behandelt.

```

```

```

```

Digital/Analog-Umwandlungen, die

die Grenzwerte der

Nummer 3A01.a.5 überschreiten,

```

```

Endgeräte-Schnittstellen, die

die Grenzwerte der

Nummer 5A01.b.3 überschreiten.

```

```

ANMERKUNG:

Der Begriff

„Endgeräte-Schnittstellen'' der

Nummer 4A03.k schließt Local Area

Network-Schnittstellen, Modems und

sonstige

Kommunikations-Schnittstellen ein.

Local Area Network-Schnittstellen

sind als Netz-Zugangs-Steuerungen

zu behandeln.

```

```

4A04 Rechner wie folgt und

besonders konstruierte verwandte

Geräte, Baugruppen und Bauteile

hierfür:

```

```

```

```

```

```

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

4B01 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Aufbringung

von magnetischer Beschichtung

auf erfaßten starren (nicht

flexiblen) magnetischen oder

magnetooptischen Datenträgern,

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4B01 erfaßt keine

Universal-Sputtereinrichtungen.

```

```

4B02 Speicherprogrammierbare

Einrichtungen, besonders

konstruiert zur Überwachung,

Auswahl, Anwendungen oder

Prüfung von erfaßten starren

magnetischen Datenträgern,

4B03 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Herstellung

oder Justierung von

Schreib-/Leseköpfen oder von

Baugruppen (head/disk

assemblies) für erfaßte starre

magnetische und magnetooptische

Speicher sowie

elektromagnetische oder optische

Bauteile hierfür.

C. WERKSTOFFE

Materialien, besonders geformt und

unverzichtbar für die Herstellung

von erfaßten Baugruppen für

magnetische und magnetooptische

Festplattenlaufwerke.

D. SOFTWARE

```

```

ANMERKUNG:

Der Erfassungsstatus von Software

für die Entwicklung, Herstellung

und Verwendung von in anderen

Gruppen beschriebenen Einrichtungen

wird in den betreffenden Gruppen

geregelt.

Der Erfassungsstatus von Software

für die in Gruppe 4 beschriebenen

Einrichtungen bestimmt sich nach

Nummer 4D.

```

```

4D01 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt für

die Entwicklung,

Herstellung oder Verwendung von

Einrichtungen, Werkstoffen oder

Software, die von Nummern 4A,

4B, 4C oder 4D erfaßt wird.

4D02 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt zur

Unterstützung der Technologie,

die von Nummer 4E erfaßt wird.

4D03 Spezielle Software wie folgt:

```

```

und analytischen Verfahren und

entwickelt oder abgewandelt

für Programme mit mehr als

500 000 Instruktionen im

Quellencode, zum Prüfen und

Testen von Programmen,

```

```

Erzeugung von Quellencodes aus

Daten, die on-line von

externen in dieser Liste

beschriebenen Sensoren kommen,

```

```

Betriebssystem-Software,

Software-

Entwicklungswerkzeugen und

Compilern, besonders

entwickelt für Geräte zur

Mehrfachdatenstromverarbei-

tung,

```

```

für Expertensysteme zur

Wissensauswertung (inference

engines) mit beiden folgenden

Eigenschaften:

```

```

```

```

(primitives) zur Behandlung

von Zeitcharakteristika in

Regeln und Tatsachen,

```

```

oder Funktionen, die die

Grenzwerte der Gruppe 5 -

Informationssicherung -

überschreiten,

```

```

konstruiert für Rechner zur

Echtzeitverarbeitung, die eine

Unterbrechungsintervallmög-

lichkeit (global interrupt

latency time) kleiner als

30 mys gewährleisten.

E. TECHNOLOGIE

4E01 Technologie gemäß der

allgemeinen

Technologie-Anmerkung für die

Entwicklung, Herstellung oder

Verwendung von Einrichtungen,

Werkstoffen oder Software, die

von Nummern 4A, 4B, 4C oder 4D

erfaßt werden.

4E02 Sonstige Technologie wie

folgt:

```

```

Entwicklung oder Herstellung

der von Nummer 4A03.h nicht

erfaßten Einrichtungen,

```

```

Entwicklung oder Herstellung

von Einrichtungen für

Mehrfachdatenstromverarbei-

tung,

```

```

die Entwicklung oder

Herstellung von magnetischen

Festplattenspeichern mit einer

höchsten Bit-Übertragungsrate

größer als 11 Mbit/s.

5 - TELEKOMMUNIKATION UND INFORMATIONSSICHERHEIT

```

```

TELEKOMMUNIKATION

---

ANMERKUNGEN:

Engineering oder Verrechnung.

---

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

5A01 Jede Art von

Telekommunikationseinrichtungen

mit einem der folgenden

Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.c gilt nur für

elektronische Einrichtungen.

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.b/c gilt nicht für

Einrichtungen an Bord von

Satelliten.

---

5A02 Telekommunikations-Übertragungseinrichtungen oder

-Anlagen und speziell

konstruierte Bauteile und Zubehöre hierfür, mit einem der

folgenden Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Telekommunikationsübertragungseinrichtungen,

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.a erfaßt keine

Einrichtungen, speziell konstruiert

für Einbau und Betrieb in einem Satellitensystem für zivile Zwecke.

---

---

ANMERKUNG:

Enthält eine nichterfaßte

Einrichtung einen Netzwerk-Zugriffs-Kontroller, darf

sie keine

Telekommunikations-Schnittstelle

besitzen, außer solche, die in Nummer 5A02.c zwar beschrieben,

aber nicht erfaßt sind.

---

Anwendungen;

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.e.2 erfaßt keine

Einrichtungen für zivile Zwecke,

die mit einem von der ITU

zugewiesenen Band zwischen 26,5 und 31 GHz arbeiten.

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.f.2 erfaßt keine

Einrichtungen, speziell konstruiert

für Einbau und Betrieb in einem Satellitensystem für zivile Zwecke.

---

---

ANMERKUNG:

Statistische Multiplexer mit

digitalem Eingang und digitalem

Ausgang, zur Vermittlung, werden

als speicherprogrammierbare

Verteiler behandelt.

---

---

ANMERKUNG:

Signalisierungs-Einrichtungen,

bei denen der Zeichengabekanal in

32 Multiplex-Kanälen, die eine Gesamtleitung von nicht mehr als

2,1 Mbit/s bilden, getragen wird

bzw. sich auf eine solche Leitung

bezieht, und bei denen die Zeichengabe-Information in einem

festgelegten Zeitmultiplex-Kanal

ohne die Verwendung von explizit

adressierten Meldungen getragen

wird, gelten nicht als Systeme mit

Zeichengabe über einen zentralen

Kanal.

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.b schließt nicht aus:

---

Leitungsvermittlung;

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.c erfaßt keine

Ein-Ebene-Wahlvorbelegung.

---

Einzel-Paketen;

---

ANMERKUNG:

Die Beschränkungen der Nummer

5A03.e und 5A03.f gelten nicht für

Netzwerke, die nur

Netzwerk-Zugriffs-Kontroller

verwenden, oder für

Netzwerk-Zugriffs-Kontroller.

---

Medium.

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.h.1 nimmt die Multiplexbildung über eine

zusammengesetzte Verbindung von

Kommunikationskanälen, die nicht

von Nummer 5A02.a erfaßt sind,

nicht aus.

---

Port enthalten.

5A04 Zentrale Netzwerksteuerung

mit beiden folgenden Merkmalen:

Leitwegzuteilung durch.

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A04 nimmt die Verkehrssteuerung als eine Funktion

prognostizierbarer

Verkehrsbedingungen nicht aus.

---

5A05 Lichtwellenleiter-Kommunikationskabel,

Lichtleitfasern und speziell

konstruierte Bauteile und Zubehör hierfür wie folgt:

---

ANMERKUNG:

Zugversuch:

On-Line und Off-Line-Fertigungsprüfung, die

eine vorgeschriebene Zugspannung

dynamisch über eine Faserlänge von

0,5 bis 3 m bei einer Laufgeschwindigkeit von 2 bis 5 m/s

während ihres Durchlaufens zwischen

Tonrollen von ca. 15 cm Durchmesser

anlegt. Die Umgebungstemperatur

beträgt nominal 293 K und die

relative Luftfeuchtigkeit 40%.

ANMERKUNG:

Zur Durchführung des Zugversuches

können auch entsprechende nationale

Normen herangezogen werden.

---

Unterwassereinsatz.

---

ANMERKUNG:

Durchgangssteckverbinder für

Schatten und Rümpfe siehe

Nummer 8A02.c.

---

5A06 Phasengesteuerte Antennen,

betrieben bei Frequenzen über

10,5 GHz, die aktive Elemente

und verteilte Bauteile enthalten

und konstruiert sind, daß sie

eine elektronische Steuerung der Strahlformung und Strahlzuspitzung ermöglichen,

ausgenommen Landesysteme mit

Instrumenten gemäß ICAO-Normen

(Mikrowellen-Landesysteme MLS).

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

5B01 Einrichtungen, speziell

konstruiert für:

Prüfeinrichtungen;

5B02 Andere Einrichtungen wie

folgt:

C. MATERIALIEN

5C01 Vorformen aus Glas oder

anderen Materialien, optimiert

zur Herstellung von in Nummer

5A05 erfaßten Lichtwellenleiter.

D. SOFTWARE

5D01 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Geräten oder

Materialien, die in den Nummern

unter 5A, 5B und 5C des Abschnittes

„Telekommunikation'' dieser Gruppe erfaßt sind.

5D02 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Unterstützung von Technologie,

die in den Nummern unter 5E des Abschnittes

„Telekommunikation'' dieser Gruppe erfaßt ist.

5D03 Spezifische Software wie

folgt:

---

ANMERKUNG:

Bezüglich Software für

Signalverarbeitung siehe auch

Gruppe 4 und 6.

---

E. TECHNOLOGIE

5E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung (ausschließlich Betrieb) von Geräten, Systemen,

Materialien oder Software, die

in den Nummern unter 5A, 5B, 5C

oder 5D des Abschnittes

„Telekommunikation'' erfaßt

sind.

5E02 Spezifische Technologien wie

folgt:

---

ANMERKUNG:

Der Erfassungsstatus von

Einrichtungen, Software, Systemen,

anwendungsspezifischen Baugruppen,

Modulen, integrierten Schaltungen,

Bauelementen, Technologie oder

Funktionen der Informationssicherheit ist in den Positionen des Abschnittes

„Informationssicherheit'' dieser Gruppe definiert, auch wenn sie

Bauteile oder Baugruppen anderer

Geräte sind.

---

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

5A11 Systeme, Geräte,

anwendungsspezifische

Baugruppen, Module oder

integrierte Schaltungen zur Informationssicherheit, wie

folgt, und andere speziell

konstruierte Bauteile hierfür:

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A11.d erfaßt keine

Ausrüstungen, speziell konstruiert

zur Unterdrückung von Emanationen

aus Gesundheits- und Sicherheitsgründen.

---

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

5B11 Einrichtungen, speziell

konstruiert zur Entwicklung von

Einrichtungen oder Verfahren,

die von den Positionen des Abschnittes

„Informationssicherheit''

dieser Gruppe erfaßt sind,

einschließlich Meß- oder

Prüfeinrichtungen.

5B12 Einrichtungen, speziell

konstruiert zur Fertigung von

Einrichtungen oder Verfahren,

die von den Positionen des Abschnittes

Informationssicherheit dieser Gruppe erfaßt sind,

einschließlich Meß-, Prüf-,

Reparatur- oder

Fertigungseinrichtungen.

5B13 Meßeinrichtungen, speziell

konstruiert zum Prüfen und Freigeben von

Informationssicherheits-Verfahren, die von den Nummern unter 5A oder 5D des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

D. SOFTWARE

5D11 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Einrichtungen

oder Software, die in den Nummern unter 5A, 5B oder 5D

dieses Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

5D12 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Unterstützung von Technologie,

die in den Nummern unter 5E des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

5D13 Spezifische Software wie

folgt:

E. TECHNOLOGIE

5E11 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Ausrüstungen oder

Software, die in den Nummern

unter 5A, 5B oder 5D des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

---

ANMERKUNGEN ZUR

INFORMATIONSSICHERHEIT:

---

3 - ELEKTRONIK - KONSTRUKTION, ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG

```

```

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND ---------------------------------

BAUELEMENTE ANMERKUNG:

Die Nummern 3R01 und 3R02 erfassen

Einrichtungen, die entwickelt sind

für den Gebrauch in

Raketensystemen der Nummer 9R01.

```

```

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

beschriebenen Geräte, Baugruppen

und Bauelemente - außer jenen in

Nummer 3A01.a.3 bis 10 -, die

speziell entwickelt sind als

bzw. die gleichen funktionellen

Eigenschaften haben wie andere

Einrichtungen, richtet sich nach

dem Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen.

```

```

integrierten Schaltungen (ICs),

beschrieben in Nummer 3A01.a.3

bis 9, die unabänderbar für eine

spezifische Funktion

programmiert oder entwickelt

sind, richtet sich nach dem

Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen.

ANMERKUNG:

Kann der Hersteller oder Anwender

den Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen nicht bestimmen, so

richtet sich der Erfassungstatus

der integrierten Schaltungen nach

Nummer 3A01.a.3 bis 9.

```

```

3A01 Elektronische Einheiten und

Bauelemente:

```

```

Universalanwendungen, wie folgt:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Halbleiterscheiben (fertig oder

unfertig), bei denen die

Funktion bereits festgelegt ist,

ist nach den Parametern der

Nummer 3A01.a zu bewerten.

```

```

beinhalten die folgenden Typen:

monolithisch integrierte

Schaltungen;

integrierte Hybridschaltungen;

integrierte

Multichip-Schaltungen;

integrierte Schichtschaltungen,

einschließlich integrierte

Silicium-Saphir-Schaltungen;

integrierte optische

Schaltungen.

```

```

```

```

strahlungsfest konstruiert

oder entwickelt, um eine

Gesamtdosis von 5 x 10 hoch

5 rad (Si) oder höher

auszuhalten;

```

```

beschrieben in Nummer 3A01.a.3 Bauteile, speziell konstruiert

bis a.10, ausgelegt für einen für militärische Zwecke und den

Betrieb bei einer Einsatz bei Temperaturen über

Umgebungstemperatur unter 125 Grad C.

219 K (-54 Grad C) oder über

398 K (+125 Grad C);

```

```

ANMERKUNG:

Die Temperaturgrenzwerte in

Nummer 3A01.a.2 gelten nicht für

integrierte Schaltungen für zivile

Kraftfahrzeug- oder

Eisenbahntriebwagen.

```

```

```

```

Mikroschaltungen,

Mikrocomputer-Mikroschaltungen

und Mikrokontroller-

Mikroschaltungen mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

ANMERKUNGEN:

Nummer 3A01.a.3 erfaßt keine

Mikrocomputer-Mikroschaltungen auf

Siliciumbasis oder

Mikrokontroller-Mikroschaltungen,

die eine

Operanden-(Daten)Wortlänge von

8 Bit oder weniger besitzen und

nicht von Anmerkung 2 zu 3A erfaßt

sind.

```

```

```

```

Datenbusbreite von mehr als

32 Bit oder eine Arithmetik-

Logik-Einheit (ALU) mit

einer Zugriffsbreite von

mehr als 32 Bit;

```

```

als 40 MHz;

```

```

Datenbusbreite von 32 Bit

oder mehr und fähig,

12,5 Millionen

Befehle/Sekunde (MIPS) oder

mehr auszuführen; oder

```

```

ANMERKUNG:

Ist der MIPS-Wert nicht

spezifiziert, ist der Umkehrwert

der durchschnittlichen

Befehlszykluszeit (in mys) zu

verwenden.

```

```

```

```

oder Befehlsbus oder

seriellem Kommunikationsport

für eine externe Verknüpfung

mit einem Parallelprozessor

mit einer

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 2,4 Mbytes/s;

```

```

Speicherschaltungen wie folgt:

```

```

PROMs (EEPROMs) mit einer

Speicherkapazität von:

```

```

oder

```

```

und einer maximalen

Zugriffszeit von weniger

als 80 ns;

```

```

einer Speicherkapazität von:

```

```

oder

```

```

und einer maximalen

Zugriffszeit von weniger

als 25 ns;

```

```

Speicherschaltungen, die aus

einem Verbindungshalbleiter

gefertigt sind;

```

```

Wandler-Schaltungen wie folgt:

```

```

einem der folgenden verwendbar in Systemen laut

Merkmale: Nummer 9R01, mit einer der

nachfolgenden Charakteristiken:

```

```

oder mehr, jedoch weniger die Erfüllung militärischer

als 12 Bit, mit einer Spezifikationen für

Gesamtkonvertierungszeit gehärtete Ausrüstungen oder

bis maximale Auflösung b) konstruiert oder modifiziert

von weniger als 10 ns; für militärische Zwecke und

von einem der nachstehenden

```

```

bei einer

Gesamtkonvertierungszeit

bis maximale Auflösung von

weniger als 200 ns; oder

```

```

als 12 Bit bei einer

Gesamtkonvertierungszeit

bis maximale Auflösung von

weniger als 2 mys;

```

```

einer Auflösung von 12 Bit „Mikroschaltkreise'', die

oder mehr und einer „strahlungsgehärtet'' sind

Einstellzeit von weniger oder alle nachstehenden

als 10 ns; Charakteristiken aufweisen:

```

```

Auflösung von 8 Bits oder

mehr;

```

```

in Temperaturbereichen von

unter minus 54 Grad C bis

über plus 125 Grad C; und

```

```

```

```

Analog-Digital-Wandler,

gedruckte Schaltkreise oder

Module, mit allen

nachstehend genannten

Charakteristiken:

```

```

Auflösung von 8 Bits oder

mehr;

```

```

in Temperaturbereichen von

unter minus 54 Grad C bis

über plus 125 Grad C; und

```

```

```

```

„Mikroschaltkreisen''.

```

```

integrierte Schaltungen für

Signaldatenverarbeitung mit

allen folgenden Merkmalen:

```

```

Laserdioden;

```

```

Lichterkennungselementen;

und

```

```

```

```

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als

30 000 (zwei

Eingangsgatter); oder

```

```

Verzögerungszeit von weniger

als 0,4 ns;

```

```

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als

5 000 (zwei Eingangsgatter);

oder

```

```

mehr als 100 MHz;

```

```

Neurale Netze;

```

```

Schaltungen, bei denen

entweder die Funktion oder der

Erfassungsstatus der

Endausrüstung dem Hersteller

nicht bekannt sind, einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Verzögerungszeit von weniger

als 0,4 ns haben; oder

```

```

mehr als 3 GHz;

```

```

Schaltungen, außer jenen in

Nummer 3A01.a.3 bis a.10, auf

der Basis eines

Verbindungshalbleiters und mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als 300

(2 Eingangsgatter); oder

```

```

mehr als 1,2 GHz;

```

```

Millimeterwellen-Bauelemente:

```

```

Kathoden wie folgt:

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.1 erfaßt keine

Röhren, die für einen Betrieb in

Standard-Bändern der zivilen

Telekommunikation bei Frequenzen

von nicht mehr als 31 GHz

entwickelt oder ausgelegt sind.

```

```

```

```

```

```

höher als 31 GHz;

```

```

Kathodenheizelement mit

einer Einschaltzeit auf

RF-Nennleistung von

weniger als 3 Sekunden;

```

```

oder Abwandlungen hiervon;

```

```

Abwandlungen hiervon mit

einem der folgenden

Merkmale:

```

```

von einer halben Oktave oder

mehr, und

```

```

durchschnittlicher

Nennausgangsleistung (kW)

und der

Höchstbetriebsfrequenz (GHz)

von mehr als 0,2;

```

```

von weniger als einer halben

Oktave; und

```

```

durchschnittlicher

Nennausgangsleistung (kW)

und der

Höchstbetriebsfrequenz (GHz)

von mehr als 0,4; oder

```

```

```

```

mit einer Verstärkung von

mehr als 17 dB;

```

```

Elektro-Röhren mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

Nennemission von weniger

als 3 Sekunden; oder

```

```

Emissionsstromdichte bei

Nennbetriebsbedingungen

von mehr als 5 A/cm2

erzeugen;

```

```

Mikrowellenschaltungen oder

Mikrowellenmodule mit

integrierten monolithischen

Schaltungen mit

Betriebsfrequenzen von mehr

als 3 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.2 erfaßt keine

Schaltungen oder Module für Geräte,

die ausschließlich in

Standard-Bändern der zivilen

Telekommunikation bei Frequenzen

von nicht mehr als 31 GHz betrieben

werden.

```

```

```

```

ausgelegt für einen Betrieb

bei Frequenzen von mehr als 31

GHz;

```

```

Halbleiterbasis:

```

```

von mehr als 10,5 GHz und

mit einer Momentanbandbreite

von mehr als einer halben

Oktave; oder

```

```

von mehr als 31 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.4 erfaßt keine

folgenden Verstärker:

```

```

medizinische Anwendungen;

```

```

Verwendung in einfachen

Lehrbehelfen; oder

```

```

nicht mehr als 10 W und speziell

konstruiert für:

```

```

Einbruchsicherungs-,

Erkennungs- und Alarmsysteme;

```

```

Zählsysteme in Verkehr und

Industrie; oder

```

```

Luft- oder

Wasserverschmutzung.

```

```

```

```

abstimmbare Bandpässe oder

Sperrfilter mit mehr als

5 abstimmbaren Resonatoren,

zur Abstimmung in einem 1,5:1

Frequenzband (f(max)/f(min))

in weniger als 10 mys, mit:

```

```

mehr als 0,5% der

Mittenfrequenz; oder

```

```

von weniger als 0,5% der

Mittenfreqeunz;

```

```

einer Betriebsfrequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

konstruiert für einen Einsatz

bei Frequenzen von über

40 GHz;

```

```

folgt und speziell konstruierte

Bauelemente hierfür:

```

```

Oberflächenwellen und mit

akustischen oberflächennahen

Volumenwellen mit:

```

```

mehr als 1 GHz; oder

```

```

1 GHz oder weniger und:

```

```

von mehr als 55 dB;

```

```

Höchstverzögerungszeit und

Bandbreite (Zeit in mys

und Bandbreite in MHz

ausgedrückt) von mehr als

100; oder

```

```

Verzögerung von mehr als

10 mys;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.c.1. erfaßt keine

speziell für Haushalts- und

Unterhaltungselektronik

konstruierte Bausteine.

```

```

```

```

Volumenwellen, die eine

direkte Verarbeitung von

Signalen bei Frequenzen von

mehr als 1 GHz erlauben;

```

```

Signalaufbereitungseinrich-

tungen, die die Wechselwirkung

zwischen akustischen Wellen

und Lichtwellen ausnutzen und

die eine unmittelbare

Aufbereitung von Signalen oder

Bildern ermöglichen,

einschließlich Spektroanalyse,

Korrelation und Konvolution;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.c.3 erfaßt keine

Bausteine, speziell konstruiert für

zivile Fernseh-, Video-AM- und

FM-Rundfunkeinrichtungen.

```

```

```

```

Schaltungen mit Bauelementen,

gefertigt aus supraleitfähigen

Materialien, speziell

konstruiert für einen Betrieb

bei Temperaturen unter der

kritischen Temperatur von

mindestens einem der

supraleitfähigen Bestandteile,

und mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Verstärkung:

```

```

kleiner als 31 GHz mit einem

Rauschwert von weniger als

0,5 dB; oder

```

```

31 GHz;

```

```

Schaltungen, die supraleitende

Gatter mit einem Produkt aus

Verzögerungszeit/Gatter (in

Sekunden) und der

Verlustleistung/Gatter (in

Watt) von weniger als 10 hoch

-14 J verwenden; oder

```

```

Frequenzen mit Schwingkreisen

mit Q-Werten von mehr als

10 000;

```

```

folgt:

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.e.1 erfaßt keine

Batterien mit Volumina gleich oder

kleiner 26 cm3 (zB herkömmliche

C-Zellen oder UM-2-Batterien):

```

```

```

```

mit einer Energiedichte von

mehr als 350 Wh/kg und

ausgelegt für einen Betrieb

innerhalb eines

Temperaturbereiches von

unter 243 K (-30 Grad C) bis

über 343 K (+70 Grad C);

```

```

Batterien mit einer

Energiedichte von mehr als

150 Wh/kg nach

75 Lade-/Entladezyklen bei

einem Entladungsstrom gleich

C/5 Stunden (wobei C die

Nennkapazität in Ampere-

Stunden ist), wenn sie

innerhalb eines

Temperaturbereiches von

unter 253 K (-20 Grad C) bis

über 333 K (+60 Grad C)

arbeiten;

```

```

ANMERKUNG:

Die Energiedichte wird durch

Multiplikation der

durchschnittlichen Leistung in Watt

(durchschnittliche Spannung in Volt

mal durchschnittlicher Strom in

Ampere) mit der Entladungsdauer in

Stunden bis 75% der

Leerlaufspannung, dividiert durch

die Gesamtmasse der Zelle (oder

Batterie) in kg erhalten.

```

```

```

```

strahlungsfeste

Solargeneratoren mit einer

spezifischen Leistung von

mehr als 160 W/m2 bei einer

Betriebstemperatur von 301 K

(+28 Grad C) unter einer

Wolframbeleuchtung von 1

kW/m2 bei 2 800 K (2 527

Grad C);

```

```

Speicherkondensatoren wie folgt: folgt:

```

```

Folgefrequenz der Entladepulse 1. Betriebsspannung größer

von weniger als 10 Hz als 1,4 kV, gespeicherte

(monostabile Kondensatoren) mit Energie größer als 10 J,

einem der folgenden Merkmale: Kapazität größer als

```

```

größer als 5 kV; Reiheninduktivität

```

```

größer als 250 J/kg; und 2. Betriebsspannung größer

```

```

größer als 25 kJ; größer als 0,25 myF und

```

```

Folgefrequenz der Entladepulse kleiner als 10 nH;

von 10 Hz oder mehr (repetition b) Supraleitende

rated capacitors) mit einem der Solenoid-Elektromagnete mit

folgenden Merkmale: allen folgenden

```

```

größer als 5 kV; 1. geeignet zum Aufbau

```

```

größer als 50 J/kg; größer als 2 Tesla

```

```

größer als 100 J; und 2. L/D-Verhältnis größer

```

```

gleich oder größer als 10 000; ist die Länge bezogen

```

```

oder Solenoide, speziell Durchmesser),

konstruiert zur völligen Ladung 3. Innendurchmesser größer

oder Entladung in weniger als als 300 mm,

einer Minute, mit allen 4. Gleichmäßigkeit des

folgenden Merkmalen: Magnetfeldes im Bereich

der innenliegenden 50%

des inneren Volumens

besser als 1%;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3N01.b erfaßt nicht

Magnete, besonders konstruiert für

medizinische NMR-Bildsysteme

(nuclear magnetic resonance

imaging systems).

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.e.3 erfaßt keine

supraleitenden Elektromagnete oder

Solenoide, die speziell für

medizinische Einrichtungen der

Kernspintomografie (MRI)

konstruiert sind.

```

```

```

```

Entladung gelieferte Energie gepulste

dividiert durch die Elektronenbeschleuniger mit

Entladungsdauer beträgt mehr als einer Spitzenleistung

500 kJ/Minute; größer/gleich 500 keV wie

```

```

stromführenden Windungen von ---------------------------------

mehr als 250 mm; und ANMERKUNG:

```

```

Magnetinduktion vom mehr als 8 T Beschleuniger als Bestandteile

oder einer Gesamtstromdichte in von Geräten, die für die

der Wicklung von mehr als Anwendungsgebiete außerhalb der

300 A/mm2; Elektronen- oder

```

```

elektromagnetischen Elektronenmikroskopie) oder für

Energiespeicherung mit medizinische Zwecke entwickelt

Elementen, gefertigt aus wurden.

supraleitenden Materialien, ---------------------------------

speziell konstruiert für einen 1. Spitzenelektronenenergie des

Betrieb bei Temperaturen unter Beschleunigers größer/gleich

der kritischen Temperatur von 500 keV, aber nicht kleiner als

mindestens einem ihrer 25 MeV und ein Gütefaktor K

supraleitenden Bestandteile, mit größer/gleich 0,25,

allen folgenden Merkmalen: 2. Spitzenelektronenenergie des

```

```

mehr als 1 MHz; MeV und Spitzenleistung größer

```

```

Energiedichte von 1 MJ/m3 oder Produkt aus Spitzenpotential in

mehr; und Volt und Spitzenstrahlstrom in

```

```

als 1 ms;

```

```

Blitzlichttypes einschließlich TECHNISCHE ANMERKUNG:

Röhren, mit allen folgenden

Merkmalen: 1. Im Sinne von Nummer 3N01.c ist

```

```

als 500 MW; K = 1,7 x 10 hoch 3 x V hoch

```

```

als 500 kV; und V = Spitzenelektronenenergie

```

```

als 0,2 mys; Q = gesamte beschleunigte

```

```

drehende Bewegungen mit einem einer Dauer des

der folgenden Merkmale: Strahlpulses

```

```

1 Teil auf 265 000 Q die beschleunigte Ladung

(18 Bit-Auflösung) in 1 mys (Q = Integral des

Skalenendwert; oder Strahlstromes i in Ampere

```

```

+-2,5 Bogensekunden. 2. Im Sinne von Nummer 3N01.c ist

bei Beschleunigern, die auf

Hohlraumstrukturen basieren

(microwave accelerating

cavities),

```

```

der kleinere Wert von 1 mys

oder der Dauer des

Strahlbündels, das durch

einen Modulatorimpuls

erzeugt wird,

```

```

Durchschnittsstrom während

der Dauer eines

Strahlbündels.

```

```

3A02 Universal-Elektronikgeräte:

```

```

speziell hierfür konstruierte

Test(Prüf)-Bänder:

```

```

einschließlich solcher, die

die Aufnahme von digitalen

Signalen erlauben (zB mit

Verwendung eines HDDR-Moduls

(High-Density-Digitalaufnahme-

Modul), mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

als 4 MHz/elektronischem

Kanal oder Spur;

```

```

als 2 MHz/elektronischem

Kanal oder Spur und mit mehr

als 42 Spuren; oder

```

```

der Zeitbasis gemäß IRIG

oder EIA-Normen von weniger

als +-0,1 mys;

```

```

Geräte mit einer maximalen

digitalen Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 180 Mbit/s,

ausgenommen solchen, speziell

konstruiert für

Fernsehaufzeichungen gemäß

CCIR- oder IEC-Normen und

Empfehlungen für zivile

Fernsehanwendungen;

```

```

Datenaufzeichnungsgeräte mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 60 Mbit/s und

mit Schrägschrifttechnik;

```

```

Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 120 Mbit/s und

mit Festkopftechnik; oder

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.a.3 erfaßt keine

analogen Magnetbandgeräte, die mit

HDDR-Umwandlungselektronik

ausgerüstet und nur für die

Aufnahme digitaler Daten

konfiguriert sind.

```

```

```

```

digitalen Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 60 Mbit/s, so

konstruiert, daß damit

digitale

Videomagnetband-Geräte für

eine Verwendung als digitale

Meßaufzeichnungsgeräte

abgeändert werden können;

```

```

Baugruppen mit einer

Frequenzumschaltzeit von einer

gewählten Frequenz auf eine

andere von weniger als 1 ms;

```

```

```

```

über 31 GHz;

```