LegalizeRegeling van de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking van 23 juni 2023, nr. MinBuza.2023.15246-27 houdende invoering van een vergunningplicht voor de uitvoer van geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders die niet zijn genoemd in bijlage I van Verordening 2021/821 (Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders)
Gelet op artikel 4 van het Besluit strategische goederen;
Besluit:
Artikel 1
In deze regeling wordt verstaan onder:
- −. exporteur: exporteur als bedoeld in artikel 2, onderdeel 3, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;
- −. geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders: productieapparatuur, programmatuur en technologie, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor, als bedoeld in de bijlage bij deze regeling;
- −. inspecteur: de directeur-generaal Douane;
- −. Minister: de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingshulp;
- −. uitvoer: uitvoer als bedoeld in artikel 2, onderdeel 2, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;
- −. Verordening producten voor tweeërlei gebruik: Verordening (EU) 2021/821 van het Europees parlement en de Raad van 20 mei 2021 tot instelling van een Unieregeling voor controle op de uitvoer, de tussenhandel, de technische bijstand, de doorvoer en de overbrenging van producten voor tweeërlei gebruik (herschikking) (PbEU 2021, L 206).
Artikel 2
Het is verboden zonder vergunning van de Minister geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders uit te voeren uit Nederland.
Artikel 3
Een aanvraag voor een vergunning als bedoeld in artikel 2 wordt gedaan door de exporteur en ingediend bij de inspecteur.
De aanvraag bevat in ieder geval:
- a. de naam en het adres van de exporteur;
- b. de bestemming, met inbegrip van de eindbestemming, van de geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders;
- c. de naam en het adres van de ontvanger en eindgebruiker van de geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders.
De inspecteur kan bij de aanvraag in ieder geval verzoeken om de overeenkomst die ten grondslag ligt aan de betreffende uitvoer en om een verklaring betreffende het eindgebruik.
Artikel 4
Aan een vergunning als bedoeld in artikel 2 kunnen voorwaarden en voorschriften worden verbonden.
Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan onder beperkingen worden verleend.
Artikel 5
Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan in ieder geval ingetrokken worden als:
- a. de vergunning is verstrekt op grond van onjuiste of onvolledige gegevens;
- b. de voorschriften, voorwaarden en beperkingen van de vergunning niet in acht zijn genomen;
- c. overwegingen van nationaal buitenlands- en veiligheidsbeleid daartoe aanleiding geven.
Artikel 6
Deze regeling treedt in werking met ingang van 1 september 2023.
Artikel 7
Deze regeling wordt aangehaald als: Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders.
Bijlage. behorende bij de Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders
Algemene noten, acroniemen, afkortingen en definities in bijlage I behorende bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik zijn van overeenkomstige toepassing op deze bijlage.
‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:
| 3B801.a.4 | Apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si), koolstof-gedoteerd silicium, siliciumgermanium (SiGe), of koolstof-gedoteerd SiGe met alle van de volgende eigenschappen: a. Meerdere kamers en middelen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan 0.01 Pa) of een inerte atmosfeer (partiele water en zuurstof druk van minder dan 0.01 Pa) te handhaven tussen processtappen; b. Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en c. Epitaxiale afzettingswerktemperatuur van 685 °C of lager. |
|---|---|
| 3B801.d.1 | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: a. Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); b. Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en c. Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: 1. Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en 2. De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4.0eV. *Technische noot: 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert.* |
| 3B801.d.2 | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een dilectrische constante lager dan 3.3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* |
| 3B801.f.5 | Lithografische apparatuur, als hieronder: Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: a. een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en c. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1.50 nm. *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.* |
| 3B801.f.6 | Lithografische apparatuur, als hieronder: Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: a. een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en c. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1.50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2.40 nm. *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.* |
| 3B801.l | EUV pellicles |
| 3D805 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. |
| 3D806 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. |
| 3D807 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2 of 3B801.l. |
| 3E805 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. |
| 3E806 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. |
| 3E807 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2 of 3B801.l. |
Deze regeling zal met de bijlage en de toelichting in de Staatscourant worden geplaatst.
Artikel 5a
Deze regeling berust mede op artikel 2, vijfde lid, van de Wet strategische diensten.
Bijlage. behorende bij de Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders
Algemene noten, acroniemen, afkortingen en definities in bijlage I behorende bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik zijn van overeenkomstige toepassing op deze bijlage.
De raadpleging van dit document komt niet in de plaats van het lezen van het oorspronkelijke Staatsblad of de Staatscourant. Wij aanvaarden geen aansprakelijkheid voor eventuele onnauwkeurigheden die voortvloeien uit de omzetting van het origineel naar dit formaat.