Orden ECM/551/2025, de 30 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.1, III.3, III.4 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto

Nota 1: El subartículo ML10.a no se aplica a las “aeronaves” ni a los “vehículos más ligeros que el aire”, o variantes de esas “aeronaves” diseñadas especialmente para uso militar y que tengan todas las características siguientes:

a. No ser “aeronaves” de combate;

b. No estar configuradas para uso militar y no incorporar equipos o aditamentos diseñados especialmente o modificados para uso militar; y

c. Estar certificadas para uso civil por las autoridades de aviación civil de uno o más Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar.

Nota 2: El subartículo ML10.d no se aplica a:

a. Motores aeronáuticos diseñados o modificados para uso militar que hayan sido certificados por las autoridades de aviación civil de uno o más Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar para su uso en “aeronaves civiles”, o los componentes diseñados especialmente para ellos;

b. Motores alternativos o los componentes diseñados especialmente para ellos, salvo los diseñados especialmente para vehículos aéreos no tripulados ().

Nota 3: A los efectos de los subartículos ML10.a y ML10.d, los componentes diseñados especialmente y el equipo relacionado para “aeronaves” y motores aeronáuticos no militares modificados para uso militar se aplican solo a aquellos componentes y equipo militar relacionado requerido para la modificación para uso militar.

Nota 4: A los efectos del subartículo ML10.a, el uso militar incluye: combate, reconocimiento militar, ataque, entrenamiento militar, apoyo logístico y transporte y paracaidismo de tropas o equipo militar.

Nota 5: El subartículo ML10.a no se aplica a las “aeronaves” ni a los “vehículos más ligeros que el aire” que tengan todas las características siguientes:

a. Haber sido manufacturados por primera vez con anterioridad a 1946;

b. No incorporar artículos especificados en el presente anexo, salvo que dichos artículos sean necesarios para cumplir las normas de seguridad o de navegabilidad de las autoridades de aviación civil de uno o más Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar; y

c. No incorporar armas especificadas en el presente anexo, a menos que sean inservibles y no puedan volver a hacerse funcionar.

Nota 6: El subartículo ML10.d no se aplica a los motores aeronáuticos de propulsión manufacturados por primera vez con anterioridad a 1946.

ML11 Equipos electrónicos, “vehículos espaciales” y componentes no especificados en ninguna otra parte de este anexo, según se indica:

a) Equipo electrónico diseñado especialmente para uso militar y componentes diseñados especialmente para él;

Nota: El subartículo ML11.a incluye:

a. Los equipos de contramedidas y contracontramedidas electrónicas (es decir, equipos diseñados para introducir señales extrañas o erróneas en un radar o en receptores de radiocomunicaciones, o para perturbar de otro modo la recepción, el funcionamiento o la eficacia de los receptores electrónicos del adversario, incluidos sus equipos de contramedidas), incluyendo los equipos de interferencia intencionada y antiinterferencia;

b. Los tubos con agilidad de frecuencia;

c. Los sistemas o equipos electrónicos diseñados bien para la vigilancia y la supervisión del espectro electromagnético para la inteligencia militar o la seguridad, o bien para oponerse a tales controles y vigilancias;

d. Los equipos subacuáticos de contramedidas, incluyendo el material acústico y magnético de perturbación y señuelo, diseñados para introducir señales extrañas o erróneas en los receptores sonar;

e. Los equipos de seguridad en proceso de datos, de seguridad de los datos y de seguridad de los canales de transmisión y de señalización, que utilicen procedimientos de cifrado;

f. Los equipos de identificación, autenticación y cargadores de clave, y los equipos de gestión, fabricación y distribución de clave;

g. Los equipos de guiado y navegación;

h. Los equipos de transmisión de radiocomunicaciones digitales por dispersión troposférica;

i. Los desmoduladores digitales diseñados especialmente para la inteligencia de señales;

j. “Sistemas automatizados de mando y control”.

NB: Para el “equipo lógico” asociado a la radio definida por “equipo lógico” para uso militar, véase el artículo ML21.

b) Equipos de interferencia intencionada diseñados o modificados para impedir la recepción, el funcionamiento o la eficacia de los servicios de posicionamiento, navegación o temporización proporcionados por los “sistemas de radionavegación por satélite”, y componentes diseñados especialmente para ellos;

c) “Vehículos espaciales” diseñados especialmente o modificados para uso militar, y componentes de “vehículos espaciales” diseñados especialmente para uso militar.

ML12 Sistemas de armas de energía cinética de alta velocidad y equipo relacionado, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:

a) Sistemas de armas de energía cinética diseñados especialmente para destruir un objetivo o hacer abortar la misión del objetivo;

b) Instalaciones de ensayo y de evaluación y modelos de prueba, diseñadas especialmente, incluidos los instrumentos de diagnóstico y los blancos, para la prueba dinámica de proyectiles y sistemas de energía cinética.

N.B.: Para los sistemas de armas que utilicen municiones subcalibradas o únicamente se sirvan de la propulsión química, y las municiones para ellos, véanse los artículos ML1, ML2, ML3 y ML4.

Nota 1: El artículo ML12 incluye los equipos siguientes, cuando estén diseñados especialmente para sistemas de armas de energía cinética:

a. Los sistemas de propulsión para lanzamiento capaces de acelerar masas superiores a 0,1 g a velocidades superiores a 1,6 km/s, en modo de disparo simple o rápido;

b. Los equipos de producción de potencia principal, de blindaje eléctrico, de almacenamiento de energía (por ejemplo, condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía), de control térmico, de acondicionamiento, de conmutación o de manipulación de combustible; e interfaces eléctricas entre la fuente de alimentación, el cañón y las demás funciones de excitación eléctrica de la torreta;

N.B.: Véase también el subartículo 3A001.e.2 en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE para condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía.

c. Los sistemas de captación o seguimiento de objetivos, de dirección de tiro o de evaluación de daños;

d. Los sistemas de búsqueda de objetivos, de guiado o de propulsión derivada (aceleración lateral), para proyectiles.

Nota 2: El artículo ML12 se aplica a los sistemas de armas que utilicen cualquiera de los métodos de propulsión siguientes:

a. Electromagnética;

b. Electrotérmica;

c. Por plasma;

d. De gas ligero; o

e. Química (cuando se utilice en combinación con otro cualquiera de los demás métodos indicados).

ML13 Equipos blindados o de protección, construcciones, componentes y accesorios, según se indica:

a) Planchas de blindaje metálicas o no que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Manufacturadas para cumplir estándares o especificaciones militares; o

2. Apropiadas para uso militar;

Nota: Para las placas de trajes blindados, véase ML13.d.2.

b) Construcciones de materiales metálicos o no y combinaciones de ellas diseñadas especialmente para ofrecer una protección balística a los sistemas militares, y los componentes diseñados especialmente para ellas.

c) Cascos y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos, según se indica:

1. Cascos manufacturados de acuerdo con estándares o especificaciones militares, o con normas nacionales comparables;

2. Armazones, forros y acolchados diseñados especialmente para los cascos que se especifican en el subartículo ML13.c.1;

3. Complementos de protección balística diseñados especialmente para los cascos que se especifican en el subartículo ML13.c.1;

Nota: Véase la entrada correspondiente de este anexo para otros componentes o accesorios del casco para militares.

d) Trajes blindados o prendas de protección, y componentes para ellos, según se indica:

1. Trajes blindados blandos, prendas de protección manufacturadas para cumplir estándares o especificaciones militares, o sus equivalentes, y componentes diseñados especialmente para ellas;

Nota: A los efectos del subartículo ML13.d.1, los estándares o especificaciones militares incluyen, como mínimo, especificaciones de protección contra la fragmentación.

2. Placas rígidas para trajes blindados que proporcionen protección antibalas de nivel igual o superior al nivel III (NIJ 0101.06, julio de 2008) o “normas equivalentes”.

Nota 1: El subartículo ML13.b incluye los materiales diseñados especialmente para constituir blindajes explosivos reactivos o para construir refugios militares.

Nota 2: El subartículo ML13.c no se aplica a los cascos que tengan todas las características siguientes:

a. Haber sido manufacturados por primera vez con anterioridad a 1970; y

b. No estar diseñados ni modificados para aceptar material especificado en la Lista Común Militar de la UE ni estar equipados con dicho material.

Nota 3: Los subartículos ML13.c y ML13.d no se aplican a los cascos, trajes blindados ni prendas de protección, cuando acompañen a su usuario para su protección personal.

Nota 4: Los únicos cascos diseñados especialmente para el personal de desactivación de explosivos que están especificados en el artículo ML13.c son los cascos diseñados especialmente para uso militar.

Nota 5: El subartículo ML13.d.1 no se aplica a las gafas protectoras.

N.B.: Para las gafas protectoras, véase ML17.o.

N.B.1.: Véase también el artículo 1A005 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.

N.B.2: Para los “materiales fibrosos o filamentosos” utilizados en la manufactura de los trajes blindados y de los cascos, véase el artículo 1C010 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE

ML14 “Equipos especializados para el entrenamiento militar” o la simulación de escenarios militares, simuladores diseñados especialmente para el aprendizaje del manejo de armas de fuego u otras armas especificadas en los artículos ML1 o ML2, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.

Nota 1: El artículo ML14 incluye los sistemas de generación de imágenes y los sistemas de entorno interactivo para simuladores cuando estén diseñados especialmente o modificados para uso militar.

Nota 2: El artículo ML14 no se aplica al equipo diseñado especialmente para el entrenamiento en el uso de armas de caza o tiro deportivo.

Nota 3: “Equipo especializado para el entrenamiento militar” incluye los tipos militares de entrenadores de ataque, entrenadores de vuelo operativo, entrenadores de blancos radar, generadores de blancos radar, dispositivos de entrenamiento para el tiro, de entrenamiento de guerra antisubmarina, simuladores de vuelo (incluidas las centrifugadoras para personas, destinadas a la formación de pilotos y astronautas), entrenadores para la utilización de radares, entrenadores para instrumentos de vuelo, entrenadores para la navegación, entrenadores para el lanzamiento de misiles, equipos para blancos, “aeronaves” no tripuladas, entrenadores de armamento, “aeronaves” no tripuladas, unidades móviles de entrenamiento y equipos de entrenamiento para operaciones militares en tierra.

ML15 Equipos de formación de imagen o de contramedida, según se indica, diseñados especialmente para uso militar y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

a) Registradores y equipos de proceso de imagen;

b) Cámaras, equipo fotográfico y equipo para el revelado de películas;

c) Equipo para la intensificación de imágenes;

d) Equipo de formación de imagen de infrarrojos o térmica;

e) Equipo sensor de imagen por radar;

f) Equipos de contramedida y contracontramedida para los equipos especificados en los subartículos ML15.a a ML15.e.

Nota: El subartículo ML15.f incluye equipo diseñado para degradar el funcionamiento o la efectividad de los sistemas militares de imagen o para minimizar tales efectos degradantes.

Nota: El artículo ML15 no se aplica a los “tubos intensificadores de imagen de la primera generación” ni a los equipos diseñados especialmente para incorporar “tubos intensificadores de imagen de la primera generación”.

NB: Para la clasificación de los visores que incorporen “tubos intensificadores de imagen de la primera generación” véanse los artículos ML1, ML2 y ML5.a.

N.B.: Véanse también los subartículos 6A002.a.2 y 6A002.b de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.

ML16 Piezas de forja, piezas de fundición y productos semielaborados, diseñados especialmente para los productos especificados en los artículos ML1, ML2, ML3, ML4, ML6, ML9, ML10, ML12 o ML19.

Nota: El artículo 16 se aplica a los productos semielaborados que sean identificables por la composición del material, geometría o función.

ML17 Equipos misceláneos, materiales y “bibliotecas”, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:

a) Equipos de buceo y natación subacuática, diseñados especialmente o modificados para uso militar, según se indica:

1. Recirculadores para buceo autónomos, de circuito cerrado y semicerrado;

2. Equipos de natación subacuática diseñados especialmente para ser utilizados con los equipos de buceo especificados en subartículo ML17.a.1;

NB: Véase también el subartículo 8A002.q en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.

b) Equipos de construcción diseñados especialmente para uso militar;

c) Accesorios, revestimientos y tratamientos, para la supresión de firmas, diseñados especialmente para uso militar;

d) Equipos de ingeniería diseñados especialmente para uso en zona de combate;

e) “Robots”, unidades de control de “robots” y “efectores terminales” de “robots”, que tengan cualquiera de las siguientes características:

1. Diseñados especialmente para uso militar;

2. Que incorporen medios de protección de conductos hidráulicos contra las perforaciones de origen exterior causadas por fragmentos de proyectiles (por ejemplo, utilización de conductos autosellables) y diseñados para utilizar fluidos hidráulicos con temperatura de inflamación superior a 839 K (566 °C); o

3. Diseñados especialmente o preparados para funcionar en ambientes sometidos a “impulsos electromagnéticos”;

Nota técnica:

A efectos del subartículo ML17.e.3, por “impulsos electromagnéticos” no se entiende la interferencia no intencional causada por la radiación electromagnética de equipos cercanos (p.ej. maquinaria, dispositivos o equipos electrónicos) o el rayo.

f) “Bibliotecas” diseñadas especialmente o modificadas para uso militar con sistemas, equipos o componentes especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1;

g) Equipo nuclear generador de potencia o propulsión, no especificado en ninguna otra parte, diseñado especialmente para uso militar, y componentes para él diseñados especialmente o “modificados” para uso militar;

Nota: El subartículo ML17.g incluye los “reactores nucleares”.

h) Equipo y material, revestido o tratado para la supresión de la firma, diseñado especialmente para uso militar, no especificado en ninguna otra parte de la Lista Común Militar de la UE;

i) Simuladores diseñados especialmente para “reactores nucleares” militares;

j) Talleres de reparación móviles diseñados especialmente o ‘modificados’ para dar servicio a equipo militar;

k) Generadores de campaña diseñados especialmente o ‘modificados’ para uso militar;

l) Contenedores intermodales ISO o carrocerías desmontables (es decir, cajas móviles), diseñados especialmente o “modificados” para uso militar;

m) Transbordadores, no especificados en ninguna otra parte de la Lista Común Militar de la UE, puentes y pontones diseñados especialmente para uso militar;

n) Modelos para ensayo diseñados especialmente para el “desarrollo” de los materiales especificados en los artículos ML4, ML6, ML9 o ML10;

o) Equipos para protección de “láser” (por ejemplo, protectores de ojos o sensores) diseñados especialmente para uso militar;

p) “Pilas de combustible” no especificadas en ninguna otra parte de la Lista Común Militar de la UE ni en este anexo I.1, diseñadas especialmente o “modificadas” para uso militar.

Notas técnicas:

1. No se usa desde 2014.

2. A efectos del artículo ML17, “modificación” significa un cambio estructural, eléctrico, mecánico u otro que confiera a un material no militar capacidades militares equivalentes a las de un material diseñado especialmente para uso militar.

ML18 Equipo de ‘producción’, instalaciones de ensayo ambiental y componentes, según se indica:

a) Equipos de ‘producción’ diseñados especialmente o modificados para la “producción” de los artículos especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1, y componentes diseñados especialmente para ellos;

b) Instalaciones de ensayo ambiental diseñadas especialmente y equipos diseñados especialmente para ellas, que no se especifiquen en otro sitio, para la certificación, calificación o ensayo de productos especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo.

Nota técnica:

A efectos del artículo ML18, el término “producción” incluye el diseño, la inspección, la fabricación, el ensayo y la verificación.

Nota: Los subartículos ML18.a y ML18.b incluyen los equipos siguientes:

a. Nitruradores de tipo continuo;

b. Equipos o aparatos de ensayo por centrifugación, que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Accionados por uno o varios motores de una potencia nominal total de más de 298 kW (400 CV);

2. Capaces de soportar una carga útil de 113 kg o más; o

3. Capaces de imprimir una aceleración centrífuga de 8 g o más con una carga útil de 91 kg o más;

c. Prensas de deshidratación;

d. Prensas extruidoras de husillo diseñadas especialmente o modificadas para la extrusión de “explosivos” militares;

e. Máquinas para el corte de “propulsantes” en forma de macarrón;

f. Tambores amasadores (cubas giratorias) de 1,85 m de diámetro o más, y con una capacidad de producción de más de 227 kg;

g. Mezcladores de acción continua para “propulsantes” sólidos;

h. Molinos accionados por fluidos, para pulverizar o moler los ingredientes de “explosivos” militares;

i. Equipos para obtener a la vez la esfericidad y uniformidad de tamaño de las partículas del polvo metálico citado en el subartículo ML8.c.8;

j. Convertidores de corriente de convección para la conversión de los materiales incluidos en el subartículo 8.c.3.

ML19 Sistemas de Armas de Energía Dirigida, equipos relacionados o de contramedida y modelos de ensayo, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:

a) Sistemas “láser” diseñados especialmente para destruir un objetivo o hacer abortar la misión de un objetivo;

b) Sistemas de haces de partículas capaces de destruir un objetivo o hacer abortar la misión de un objetivo;

c) Sistemas de radiofrecuencia (RF) de gran potencia capaces de destruir un objetivo o de hacer abortar la misión de un objetivo;

d) Equipos diseñados especialmente para la detección o la identificación de los sistemas especificados por los subartículos ML19.a, ML19.b o ML19.c o para la defensa contra esos sistemas;

e) Modelos físicos para ensayo para los sistemas, equipos y componentes, especificados en el artículo ML19;

f) Sistemas “láser” diseñados especialmente para causar ceguera permanente a un observador sin visión aumentada, es decir, al ojo desnudo o al ojo con dispositivos correctores de la visión.

Nota 1: Los sistemas de armas de energía dirigida especificados en el artículo ML19 incluyen los sistemas cuyas posibilidades se deriven de la aplicación controlada de:

a. “Láseres” con suficiente potencia para efectuar una destrucción semejante a la obtenida por municiones convencionales;

b. Aceleradores de partículas que proyecten un haz de partículas cargadas o neutras con potencia destructora;

c. Transmisores de radiofrecuencia de alta potencia emitida en impulsos o de alta potencia media, que produzcan campos suficientemente intensos para inutilizar los circuitos electrónicos de un objetivo distante.

Nota 2: El artículo ML19 incluye lo siguiente cuando esté diseñado especialmente para los sistemas de armas de energía dirigida:

a. Equipos de producción de potencia principal, de almacenamiento de energía, de conmutación, de acondicionamiento de potencia o de manipulación de combustible;

b. Sistemas de captación o seguimiento de objetivos;

c. Sistemas capaces de evaluar los daños causados a un objetivo, su destrucción o el aborto de su misión;

d. Equipos de manipulación, propagación y puntería, de haz;

e. Equipos con exploración rápida por haces para operaciones rápidas contra objetivos múltiples;

f. Ópticas adaptativas y dispositivos de conjugación de fase;

g. Inyectores de corriente por haces de iones de hidrógeno negativos;

h. Componentes de acelerador “calificados para uso espacial”;

i. Equipos de canalización de haces de iones negativos;

j. Equipos para el control y la orientación de un haz de iones de alta energía;

k. Láminas “calificadas para uso espacial” para la neutralización de haces de isótopos de hidrógeno negativos.

ML20 Equipos criogénicos y “superconductores”, según se indica, componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

a) Equipos diseñados especialmente o configurados para ser instalados en vehículos para aplicaciones militares terrestres, marítimas, aeronáuticas o espaciales, capaces de funcionar en movimiento y de producir o mantener temperaturas inferiores a 103 K (-170 °C);

Nota: El subartículo ML20.a incluye los sistemas móviles que contengan o utilicen accesorios o componentes fabricados a partir de materiales no metálicos o no conductores de electricidad, tales como los materiales plásticos o los materiales impregnados de resinas epoxi.

b) Equipos eléctricos “superconductores” (máquinas rotativas y transformadores) diseñados especialmente o configurados para ser instalados en vehículos para aplicaciones militares terrestres, marítimas, aeronáuticas o espaciales, y capaces de funcionar en movimiento.

Nota: El subartículo ML20.b no se aplica a los generadores homopolares híbridos de corriente continua que tengan armaduras metálicas normales de un solo polo girando en un campo magnético producido por bobinados superconductores, a condición de que estos bobinados sean el único elemento superconductor en el generador.

ML21 “Programas informáticos”, según se indica:

a) “Equipo lógico” diseñado especialmente o modificado para cualquiera de lo siguiente:

1. El “desarrollo”, la “producción”, el funcionamiento o el mantenimiento de equipos especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1;

2. El “desarrollo” o la “producción” de materiales especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1; o

3. El “desarrollo”, la “producción”, el funcionamiento o el mantenimiento de “equipo lógico” especificado en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1;

b) “Equipo lógico” específico distinto del especificado en el subartículo ML21.a, según se indica:

1. “Equipo lógico” diseñado especialmente para uso militar y diseñado especialmente para la modelización, la simulación o la evaluación de sistemas de armas militares;

2. “Equipo lógico” diseñado especialmente para uso militar y diseñado especialmente para la modelización, la simulación o la evaluación de escenarios de operaciones militares;

3. “Equipo lógico” destinado a determinar los efectos de las armas de guerra convencionales, nucleares, químicas o biológicas;

4. “Equipo lógico” diseñado especialmente para uso militar y diseñado especialmente para aplicaciones de Mando, Comunicaciones, Control e Inteligencia (C3I) o de Mando, Comunicaciones, Control, Informática e Inteligencia (C4I);

5. “Equipo lógico” diseñado especialmente o modificado para la realización de ciberoperaciones ofensivas militares;

Nota 1: El subartículo ML21.b.5 incluye el “equipo lógico” diseñado para destruir, dañar, degradar o desactivar sistemas, equipo o “equipo lógico” especificados en el presente anexo, y el “equipo lógico” para el reconocimiento cibernético y el mando y control cibernéticos de estos.

Nota 2: El subartículo ML21.b.5 no se aplica a la “divulgación de la vulnerabilidad” ni a la “respuesta en caso de incidente cibernético”, con limitación a la preparación o respuesta no militares en materia de ciberseguridad defensiva.

c) “Equipo lógico”, no especificado en los subartículos ML21.a o ML21.b., diseñado especialmente o modificado para capacitar a equipos, no especificados en la Lista Común Militar de la UE y en el presente anexo, para desarrollar las funciones militares de los equipos especificados en el presente anexo.

N.B.: Véanse los sistemas, equipos o componentes especificados en el presente anexo como “ordenadores digitales” de uso general que lleven instalado un “equipo lógico” especificado en el subartículo ML21.c.

ML22 “Tecnología”, según se indica:

a) “Tecnología”, distinta de la especificada en el subartículo ML22.b, “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción”, el funcionamiento, la instalación, el mantenimiento, la reparación, la revisión o la restauración de los materiales especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1.

b) “Tecnología” según se indica:

1. “Tecnología” “necesaria” para el diseño de las instalaciones completas de producción, el montaje de los componentes en ellas, y el funcionamiento, mantenimiento y reparación de dichas instalaciones para los materiales especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1, aunque los componentes de tales instalaciones de producción no estén especificados;

2. “Tecnología” “necesaria” para el “desarrollo” y la “producción” de armas pequeñas, aunque se use para la fabricación de reproducciones de armas pequeñas antiguas;

3. No se usa desde 2013;

N.B.: Véase el subartículo ML22.a para “tecnología”, anteriormente especificada en el subartículo ML22.b.3.

4. No se usa desde 2013;

N.B.: Véase el subartículo ML22.a para “tecnología”, anteriormente especificada en el subartículo ML22.b.4.

5. “Tecnología” “necesaria” exclusivamente para la incorporación de los “biocatalizadores” especificados en el subartículo ML7.i.1, en las sustancias portadoras militares o materiales militares.

Nota 1: La “tecnología” “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción”, el funcionamiento, la instalación, el mantenimiento, la reparación, la revisión o la restauración de los materiales especificados en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1 permanece bajo control, aunque se aplique a cualquier material no especificado en la Lista Común Militar de la UE y en este anexo I.1.

Nota 2: El artículo ML22 no se aplica a:

a. La “tecnología” mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, mantenimiento o reparación, de los materiales no especificados o cuya exportación haya sido autorizada.

b. La “tecnología” que sea “de conocimiento público”, de “investigación científica básica” o la información mínima necesaria para solicitudes de patentes.

c. La “tecnología” para la inducción magnética para la propulsión continua de dispositivos de transporte civil.»

Dos. Se modifica el punto 1 de la letra a) de la categoría 7 del anexo III.1, que queda redactado en los siguientes términos:

«1. Agentes nerviosos para la guerra química:

a. Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil)-fosfonofluoridatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C₁₀ incluyendo los cicloalquilos), tales como:

Sarín (GB): metilfosfonofluoridato de O-isopropilo (CAS 107-44-8);

Somán (GD): metilfosfonofluoridato de O-pinacólilo (CAS 96-64-0).

b. N, N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosforamidocianidatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C₁₀), incluyendo los cicloalquilos, tales como:

Tabún (GA): N, N-dimetilfosforamidocianidato de O-etilo (CAS 77-81-6).

c. Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonotiolatos de O-alquilo (H o ≤ C₁₀, incluyendo los cicloalquilos) y de S-2-dialquilo (metil, etil, n-propil o isopropil)-aminoetil y sus sales alquiladas y protonadas, tales como:

VX: Metil fosfonotiolato de O-etilo y de S-2-diisopropilaminoetilo (CAS 50782-69-9).

d. Amitón: fosforotiolato de O,Odietilo y S[ 2 (dietilamino) etilo] (CAS 78-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes.

e. Fluoruros de P-alquil (H o ≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o ≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo) fosfonamídicos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes.

Nota:

A los efectos de ML7.b.1.e, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

Fluoruro de N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)-P-decilfosfonamidico (CAS 2387495-99-8).

Metil-(1-(dietilamino) etiliden) fosfonamidofluoridato (CAS 2387496-12-8).

f. O-alquil (H o ≤ C10, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(≤ C10, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o ≤ C10, incluido el cicloalquilo) fosforamidofluoridatos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes:

Nota:

A los efectos de ML7.b.1f, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

O-n-decil N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-00-4).

Metil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-04-8).

Etil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-06-0).

g. Metil-(bis(dietilamino)metilen)fosfonamidofluoridato (CAS 2387496-14-0).

h. Carbamatos. Cuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de 1-[N,N-dialquil(С≤10)-N-(n-(hidroxil, ciano, acetoxi)alquil(С≤10)) amonio]-n- [N-(3-dimetil-carbamoxi-α-picolinil)-N,N-dialquil(С≤10) amonio]decano (n=1-8).

Nota:

A los efectos de ML7.b.1h, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

Dibromuro de 1-[N,N-dimetil-N-(2-hidroxi)etilamonio]-10-[N-(3-dimetil carbamoxi-α-picolinil)-N,N-dimetilamonio]decano (CAS 77104-62-2).

i. Carbamatos. Bicuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de 1,n-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-α-picolil)-N,N-dialquil((С≤10) amonio]-alcano-(2,(n-1)-diona) (n=2-12).

Nota:

A los efectos de ML7.b.1i, se incluye la siguiente sustancia, tal como:

Dibromuro de 1,10-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-α-picolil)-N-etil-N-metilamonio]- decano-2,9-diona (CAS77104-00-8).»

Tres. Se añade la siguiente entrada al final del anexo III.3, como sigue:

«1C903	“Materiales energéticos”, y sustancias relacionadas, según se indica: a. Nitrocelulosa (CAS 9004-70-0). b. 2,4,6-Trinitrotolueno (TNT) (CAS 118-96-7). Nota técnica: A los efectos de 1C903, los materiales energéticos y sustancias relacionadas, incluyen los productos descritos, así como aquellos derivados de estos para la fabricación final de explosivos.»

Cuatro. Se añade la siguiente entrada al anexo III.4, como sigue:

«1C903	“Materiales energéticos”, y sustancias relacionadas, según se indica: c. Nitrocelulosa (CAS 9004-70-0). d. 2,4,6-Trinitrotolueno (TNT) (CAS 118-96-7). Nota técnica: A los efectos de 1C903, los materiales energéticos y sustancias relacionadas, incluyen los productos descritos, así como aquellos derivados de éstos para la fabricación final de explosivos.»

Cinco. Se modifica el anexo III.5, que queda redactado en los siguientes términos:

«ANEXO III.5. Lista de productos sometidos a control en la exportación no incluidos en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821

Nota general sobre tecnología

La exportación de “tecnología” “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción” o la “utilización” de productos sometidos a control incluidos en las categorías 0 a 9 se someterá a control de conformidad con lo dispuesto en las categorías 1 a 9. Asimismo, se controlará la “tecnología” “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción” o la “utilización” de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control. No se aplicarán controles a aquella “tecnología” que sea la mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportación se haya autorizado.

Acrónimos y abreviaturas

Para la aplicación e interpretación de este anexo resulta de aplicación la lista de acrónimos y abreviaturas contemplados en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821, así como los siguientes:

Acrónimos y abreviaturas	Acrónimos y abreviaturas
FPLD	Field Programmable Logic Device.
LUT	Lookup table.

Definiciones

Resulta de aplicación a este anexo la lista de definiciones contempladas en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821, así como las siguientes:

“Metales y aleaciones refractarias”: Metales y aleaciones de niobio, molibdeno, tungsteno y tantalio.

“GDSII” (“Graphic Design System II”) es un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de diseños de circuitos integrados o de diseños de circuitos integrados.

Lista de productos

1A901	Polvos de “aleaciones de alta entropía” o de “metales y aleaciones refractarios”, que tengan una superficie modificada con “inoculantes”. Notas técnica: A los efectos de 1A901: 1. Las ‘aleaciones de alta entropía’ son aleaciones que tienen al menos 5 elementos metálicos principales, cada uno con una concentración dentro del rango de 5 a 35 por ciento atómico, de la siguiente lista: Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta o W. 2. Los ‘inoculantes’ son aditivos que promueven la nucleación de granos y aumentan el área total de los límites de grano para inhibir los defectos de solidificación.
1E901	“Tecnología”, no especificada en otra parte, para el “desarrollo” o la “producción” de “sistemas de revestimiento” que tengan todas las características siguientes: 1. Diseñados para proteger los materiales “compuestos” de “matriz” cerámica especificados en 1A901 contra la corrosión; y 2. Diseñados para funcionar a temperaturas superiores a 1.373,15 K (1.100 °C). Nota técnica: A los efectos del apartado 1E901, los «sistemas de revestimiento» consisten en una o más capas (por ejemplo, capa de unión, capa intermedia, capa superior) de material depositadas sobre el sustrato.
2B901	Equipos de fabricación aditiva, diseñados para producir componentes de metal o aleaciones de metal, que tengan todo lo siguiente, y componentes especialmente diseñados para ello: a. Tener al menos una de las siguientes fuentes de consolidación: 1. “Láser”; 2. Haz de electrones; o 3. Arco eléctrico; b. Tener una atmósfera de proceso controlada de cualquiera de las siguientes: 1. Gas inerte; o 2. Vacío (igual o menor a 100 Pa); c. Tener cualquiera de los siguientes equipos de “monitoreo en proceso” en una “configuración coaxial” o “configuración paraxial”: 1. Cámara de imágenes con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 14.000 nm; 2. Pirómetro diseñado para medir temperaturas superiores a 1.273,15 K (1.000 °C); o 3. Radiómetro o espectrómetro con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 3000 nm; y d. Un sistema de control de circuito cerrado diseñado para modificar los parámetros de la fuente de consolidación, la ruta de construcción o la configuración del equipo durante el ciclo de construcción en respuesta a la retroalimentación del equipo de “monitoreo en proceso” especificado en 2B901. Notas técnicas: A los efectos de 2B901: 1. La “supervisión en proceso”, también conocida como supervisión del proceso in situ, se refiere a la observación y medición del proceso de fabricación aditiva, incluidas las emisiones electromagnéticas o térmicas del baño de fusión. 2. La “configuración coaxial”, también conocida como configuración en línea o sobre el eje, se refiere a uno o más sensores que están montados en una trayectoria óptica compartida por la fuente de consolidación “láser”. 3. La “configuración paraxial” se refiere a uno o más sensores que están montados físicamente sobre el componente de la fuente de consolidación “láser”, haz de electrones o arco eléctrico o que están integrados en él. 4. Tanto para la “configuración coaxial” como para la “configuración paraxial”, el campo de visión del o los sensores está fijado al marco de referencia móvil de la fuente de consolidación y se mueve en las mismas trayectorias de escaneo de la fuente de consolidación durante todo el proceso de construcción.
2E901	Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de fabricación aditiva, diseñados para producir componentes de metal o aleaciones de metal especificados en 2B901.
3B903	Equipo de litografía como sigue: 1. Alinear y exponer equipos de paso y repetición (paso directo sobre la oblea) o de paso y escaneo (escáner) para el procesamiento de obleas mediante métodos fotoópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las siguientes características: a. Una longitud de onda de fuente de luz inferior a 193 nm; o b. Tener todo lo siguiente: 1. Una longitud de onda de fuente de luz igual o superior a 193 nm; 2. Capaz de producir un patrón con un ‘tamaño de característica resoluble mínimo’ (‘MRF’) de 45 nm o menos; y 3. Un valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición menor o igual a 1,50 nm. Notas técnicas: A los efectos del artículo 3B903: 1. El 'Tamaño de característica resoluble mínimo' (‘MRF’) es calculado de acuerdo con la siguiente fórmula: donde, el factor K = 0.25. ‘MRF’ También se le conoce como resolución. 2. ‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ es la precisión de alineación de un nuevo patrón con un patrón existente impreso en una oblea mediante el mismo sistema litográfico. ‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ se le conoce también por precisión de posicionamiento de la máquina.
3E905	Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de equipos de litografía, especificados en 3B903.
3B904	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, según se indica a continuación, y componentes y accesorios especialmente diseñados para ellos: a. Equipo diseñado para crecimiento epitaxial como se indica a continuación: 2. Equipo diseñado o modificado para producir una capa de cualquier material distinto de silicona con un espesor uniforme de menos de ± 2,5 % a lo largo de una distancia de 75 mm o más; 3. Reactores de deposición química en fase de vapor de metal orgánico (MOCVD) diseñados para el crecimiento epitaxial de materiales semiconductores compuestos que tienen dos o más de los siguientes elementos: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno.; 4. Equipos de crecimiento epitaxial por haz molecular utilizando fuentes gaseosas o sólidas; 5. Equipo diseñado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio germanio (SiGe), y que tenga todas las características siguientes: a. Al menos una cámara de prelimpieza diseñada para proporcionar un medio de preparación de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y b. Una cámara de deposición epitaxial diseñada para funcionar a una temperatura inferior a 958 K (685 °C). Nota 3B906.a.1 y 3.B906.a.4 incluye equipos de crecimiento epitaxial de capa atómica (ALE).
3E906	Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.
3B904	Películas especialmente diseñadas para litografía ultravioleta extrema. Nota técnica: A los efectos del apartado 3B904, una «película» es una membrana integrada en un marco, diseñada para proteger una máscara o retícula de la contaminación por partículas.
3E907	Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.
3B905	Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD) configurables por el usuario y que tienen un 'recuento de entradas de tabla de búsqueda agregada' mayor o igual a 1.800.000. N.B.: Para artículos que tengan FPLD combinados con un convertidor analógico a digital, clasificados para temperaturas de funcionamiento extendidas o reforzados contra la radiación, o que tengan funcionalidad criptográfica, consultar también los artículos 3A002.h., 4A001.a y 5A002.a respectivamente, recogidos en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo de 2021. Notas técnicas: A los efectos de 3.A.2.i.: 1. “Configurable por el usuario” significa que un usuario puede configurar o modificar las celdas lógicas o las interconexiones entre celdas lógicas dentro de la estructura lógica del FPLD para prescribir la función específica que realiza el elemento 3B905. 2. “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” es la suma del número de entradas independientes disponibles para cada tabla de búsqueda programable (LUT), acumulada en todas las LUT físicas contenidas dentro de un FPLD u otro elemento programable. Los siguientes son ejemplos de cálculo del “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada”. Un ejemplo es: una placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150.000 LUT programables con 6 entradas, tendría un “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” de 2 X 150.000 X 6 = 1.800.000.
3E908	Tecnología para la fabricación de Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD), especificados en 3B905.
3A906	Equipos electrónicos, circuitos integrados de uso general, según se indica a continuación: 1. “Microcircuitos de microprocesador”. a. Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente superior a 398 K (+125 °C); b. Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (-55 °C); o c. Clasificados para funcionar en todo el rango de temperatura ambiente de 218 K (-55°C) a 398 K (+125 °C); Nota: 3A906.1 no se aplica a los circuitos integrados diseñados para aplicaciones de automóviles civiles o trenes ferroviarios. N.B.: Para circuitos integrados CMOS criogénicos no especificados en 3A906.1.a.2., véase 3A906.2. 2. Circuitos integrados de semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS), no especificados en el apartado 3A906.1, diseñados para funcionar a una temperatura ambiente igual o inferior a (mejor que) 4,5 K (-268,65 °C). Nota técnica: A los efectos del apartado 3A906.2, los circuitos integrados CMOS también se denominan circuitos integrados CMOS criogénicos o crioCMOS.
3E909	Tecnología para la fabricación de conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD), especificados en 3B906.
3A907	Circuitos integrados que tienen una o más unidades de procesamiento digital con un ‘Rendimiento de Procesamiento Total’ (“TPP”) de 6.000 o más. N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan circuitos integrados especificados en 3A907, consulte también el artículo 4A007 recogido en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo de 2021. Nota técnica: A los efectos del artículo 3A907: 1. El «rendimiento total de procesamiento» («TPP») es 2 x «MacTOPS» x «longitud en bits de la operación», sumados a todas las unidades de procesamiento del circuito integrado. a. «MacTOPS» es el número máximo teórico de Tera (1012) operaciones por segundo para el cálculo de multiplicación-acumulación (D=AxB+C). b. El 2 en la fórmula «TPP» se basa en la convención de la industria de contar un cálculo de multiplicación-acumulación, D=AxB+C, como 2 operaciones a los efectos de las hojas de datos. Por lo tanto, 2 x MacTOPS puede corresponder a los TOPS o FLOPS informados en una hoja de datos. c. La «longitud en bits de la operación» para un cálculo de multiplicación-acumulación es la longitud en bits más grande de las entradas a la operación de multiplicación. d. Sume los «TPP» para cada unidad de procesamiento del circuito integrado para obtener un total. ‘TPP’ = TPP1 + TPP2 +.... + TPPn (donde n es el número de unidades de procesamiento en el circuito integrado). 2. La tasa de ‘MacTOPS’ se debe calcular en su valor máximo teóricamente posible. Se supone que la tasa de ‘MacTOPS’ es el valor más alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el circuito integrado. Por ejemplo, el umbral de ‘TPP’ de 6000 se puede cumplir con 750 Tera operaciones enteras (o 2 x 375 ‘MacTOPS’) a 8 bits o 300 Tera FLOPS (o 2 x 150 ‘MacTOPS’) a 16 bits. Si el CI está diseñado para el cálculo MAC con múltiples longitudes de bits que alcanzan diferentes valores de ‘TPP’, el valor de ‘TPP’ más alto se debe evaluar en relación con los parámetros en 3A907. 3. Para los circuitos integrados, especificados por 3A907, que proporcionan procesamiento de matrices tanto dispersas como densas, los valores 'TPP' son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).
3E910	Tecnología para la fabricación de circuitos integrados que tienen una o más unidades de procesamiento digital, especificados en 3A907.
3B906	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios especialmente diseñados para ellos. Equipos de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de deposición de capas atómicas (ALD), diseñados para la deposición de un «metal con función de trabajo» compuesto de carburo de aluminio y titanio (TiAlC) y que tengan una función de trabajo superior a 4,0 eV, y que tengan todas las siguientes características: 1. Más de una fuente de metal, de las cuales una funciona como fuente de precursor de aluminio; y 2. Un recipiente de precursor diseñado para funcionar a una temperatura superior o igual a 303,15 K (30 °C); Nota técnica: A los efectos del apartado 3B906, un «metal con función de trabajo» es un material que controla el voltaje umbral de un transistor.
3E911	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B906.
3B907	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos. Equipos diseñados para la deposición mejorada por plasma sin huecos de una capa con una constante dieléctrica inferior a 3,3, en «espacios» que tienen una «relación de aspecto» igual o superior a 1:1 y un ancho inferior a 25 nm. Notas técnicas: A los efectos de 3B907: 1. Un «espacio» es el espacio entre líneas de metal. 2. La «relación de aspecto» (profundidad:ancho) se define como la relación entre la profundidad y el ancho del espacio entre las líneas de metal.
3E912	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B907.
3B908	Equipos de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de deposición de capas atómicas (ALD) según se indica a continuación: a. Equipos diseñados para la deposición de tungsteno para llenar una interconexión completa o en un canal de menos de 40 nm de ancho; b. Equipos diseñados para la “deposición selectiva de área” de una barrera de pared lateral de metal o nitruro metálico utilizando un precursor de compuesto organometálico; Nota técnica: A los efectos de 3.B.1.k.1.b, “deposición selectiva de área” se refiere a la deposición de material en la pared lateral pero no en la parte inferior de una característica.
3E913	Tecnología para la fabricación de equipos para la deposición de capas atómicas especificados en 3B908.
3B909	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, según se indica a continuación: 1. Equipos diseñados para procesos de deposición electrolítica de cobalto o de deposición electrolítica de cobalto; 2. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD) de metal de relleno de cobalto (Co); 3. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD) “selectiva de abajo hacia arriba” de metal de relleno de tungsteno. Nota técnica: A los efectos de 3B909, “selectiva de abajo hacia arriba” se refiere a la deposición preferencial de material en la parte inferior en relación con la pared lateral.
3E914	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de semiconductores especificados en 3B909.
3B910	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, según se indica a continuación. Equipos diseñados para el procesamiento en múltiples etapas en múltiples cámaras y que mantienen un alto vacío o un entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, según se indica a continuación: a. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante la realización de todos los procesos siguientes: 1. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidrógeno, hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); 2. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza oxígeno u ozono, mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 313,15 K (40 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y 3. Deposición de una capa de tungsteno manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); b. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los procesos siguientes: 1. Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de plasma remoto y un filtro de iones; y 2. Deposición de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando un precursor de compuesto organometálico; c. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los procesos siguientes: 1. Deposición de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de tungsteno (WC), utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); 2. Deposición de una capa de cobalto utilizando una técnica de deposición física por pulverización catódica y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor que 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura menor que 773,15 K (500 °C); y 3. Deposición de una capa de cobalto utilizando un compuesto organometálico y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor que 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura mayor que 293,15 K (20 °C) y menor que 773,15 K (500 °C); d. Equipos diseñados para fabricar interconexiones de cobre (Cu) mediante la realización de todos los procesos siguientes: 1. Deposición de una capa de cobalto o rutenio utilizando un precursor de compuesto organometálico y que tenga una presión de proceso superior a 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor a 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) y menor a 773,15 K (500 °C); y 2. Deposición de una capa de cobre utilizando una técnica de deposición física de vapor que tenga una presión de proceso superior a 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor a 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura inferior a 773,15 K (500 °C);
3E915	Tecnología para la fabricación de equipos para la fabricación de semiconductores especificados en 3B910.
3B911	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante un procesamiento de múltiples pasos dentro de una única cámara, realizando todo lo siguiente: a. Deposición de una capa de tungsteno, utilizando un precursor de compuesto organometálico, mientras se mantiene la temperatura del sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y b. Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidrógeno, hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3).
3E916	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B911.
3B912	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, por deposición de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C).
3E917	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B911.
3A908	Sistemas y componentes de refrigeración criogénica, según se indica a continuación: a. Sistemas diseñados para proporcionar una potencia de refrigeración mayor o igual a 600µW a una temperatura de 0,1 K (-273,05 °C) o inferior durante un período de más de 48 horas; b. Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas diseñados para mantener una temperatura inferior a 4 K (-269,15 °C) y proporcionar una potencia de refrigeración mayor o igual a 1,5 W a una temperatura de 4,2 K (-268,95 °C) o inferior.
3E918	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B908.
3A909	Circuitos integrados que tengan una tasa de transferencia bidireccional agregada de 600 Gbyte/s o más en todas las entradas y salidas y hacia o desde otros circuitos integrados que no incluyan memorias volátiles, y que tengan o sean programables para tener cualquiera de las siguientes características: a. Una o más unidades de procesamiento digital que ejecuten instrucciones de máquina que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; b. Una o más «unidades computacionales primitivas» digitales, excluidas aquellas unidades que contribuyan a la ejecución de instrucciones de máquina especificadas en 3A909.a, que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; c. Una o más «unidades computacionales primitivas» analógicas que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; o d. Cualquier combinación de unidades de procesamiento digital y “unidades computacionales primitivas” en un circuito integrado cuyo “rendimiento de procesamiento total” en los puntos 3A909.a, 3A909.b y 3A909.c sume 6.000 o más. Nota: Los circuitos integrados especificados en el punto 3A909 incluyen unidades de procesamiento gráfico (GPU), unidades de procesamiento tensorial (TPU), procesadores neuronales, procesadores en memoria, procesadores de visión, procesadores de texto, coprocesadores/aceleradores, procesadores adaptativos, dispositivos lógicos programables en campo (FPLD) y circuitos integrados específicos de la aplicación (ASIC). N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan circuitos integrados especificados en el punto 3A909, véase también el artículo 4A006 del Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo. Notas técnicas: A los efectos de 3A909: 1. El “rendimiento total de procesamiento” (“TPP”) es la longitud de bits por operación multiplicada por el rendimiento de procesamiento medido en Tera (1012) Operaciones por segundo (TOPS) en todas las unidades de procesador del circuito integrado. Por ejemplo, el «TPP» para un circuito integrado que tiene dos unidades de procesador digital que son capaces de 200 TOPS a 16 bits es 6400 (2 procesadores x 200 TOPS x 16 bits = 6400). En 3A909, el «TPP» de cada «unidad computacional primitiva» analógica es el rendimiento de procesamiento expresado en TOPS multiplicado por 8. 2. Una «unidad computacional primitiva» se define como aquella que contiene cero o más pesos modificables, recibe una o más entradas y produce una o más salidas. Se dice que una unidad computacional realiza 2N-1 operaciones cada vez que se actualiza una salida en función de N entradas, donde cada peso modificable contenido en el elemento de procesamiento cuenta como una entrada. Cada entrada, peso y salida puede ser un nivel de señal analógica o un valor digital escalar representado mediante uno o más bits. Dichas unidades incluyen: – Neuronas artificiales. – Unidades de multiplicación y acumulación (MAC). – Unidades de punto flotante (FPUs). – Unidades de multiplicación analógica. – Unidades de procesamiento que utilizan memristores, espintrónica o magnónica. – Unidades de procesamiento que utilizan fotónica u óptica no lineal. – Unidades de procesamiento que utilizan pesos analógicos o no volátiles de varios niveles. – Unidades de procesamiento que utilizan memoria de varios niveles o memoria analógica. – Unidades de varios valores o de varios niveles. – Unidades de picos. 3. Las operaciones relevantes para el cálculo de TOPS incluyen tanto operaciones escalares como los componentes escalares de operaciones compuestas, como operaciones vectoriales, operaciones matriciales y operaciones tensoriales. Las operaciones escalares incluyen operaciones con números enteros, operaciones de punto flotante (que a menudo se miden en FLOPS), operaciones de punto fijo, operaciones de manipulación de bits y/o operaciones bit a bit. 4. La tasa de TOPS es el valor máximo teóricamente posible cuando todas las unidades de procesamiento funcionan simultáneamente. Se supone que la tasa de TOPS y la tasa de transferencia bidireccional agregada son el valor más alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el chip. 5. La longitud de bits de una operación es igual a la longitud de bits más alta de cualquier entrada o salida de esa operación. Además, si la unidad de procesamiento está diseñada para operaciones que alcanzan diferentes valores de bits x TOPS, se debe utilizar el valor de bits x TOPS más alto. 6. Para las unidades de procesamiento que proporcionan procesamiento de matrices dispersas y densas, los valores de TOPS son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).
3E919	Tecnología para la fabricación de circuitos integrados especificados en 3B909
3A910	Amplificadores de señal paramétricos que tengan todas las características siguientes: a. Diseñados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 1 K (-272,15 °C); b. Diseñados para funcionar a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive; y c. Un factor de ruido inferior a (mejor que) 0,015 dB a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive a 1 K (-272,15 °C). Nota: Los amplificadores de señal paramétricos incluyen los amplificadores paramétricos de ondas viajeras (TWPAs). Nota técnica: A los efectos de 3A910, los amplificadores de señal paramétricos también pueden denominarse amplificadores limitados cuánticamente (QLAs).
3E920	Tecnología para la fabricación de Amplificadores de señal paramétricos especificados en 3B910.
3B913	Máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, diseñadas para circuitos integrados, no especificadas en el artículo 3B001.g del Reglamento (UE) 2021/821, y que tengan un “sustrato en blanco” de máscara especificado en el artículo 3B001.j del mencionado Reglamento; Nota técnica: A los efectos de 3B913, las máscaras o retículas con una película montada se consideran máscaras y retículas.
3E921	Tecnología para la fabricación de máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, especificados en 3B913.
3C901	Materiales epitaxiales que consisten en un “sustrato” que tiene al menos una capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C902	Fluoruros, hidruros o cloruros de silicio o germanio que contienen cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C903	Silicio, óxidos de silicio, germanio u óxidos de germanio que contengan cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76. Nota: 3C903 incluye “sustratos”, trozos, lingotes, bolas y preformas.
3E922	Tecnología para la fabricación de los materiales, especificados en 3C901, 3C902 y 3C903.
3B914	Equipo de sondeo criogénico de obleas que tenga todas las características siguientes: a. Diseñado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a 4,5 K (268,65°C); y b. Diseñado para adaptarse a diámetros de obleas superiores o iguales a 100 mm.
3E923	Tecnología para la fabricación de equipos de sondeo criogénico, especificados en 3B914.
3E924	Tecnología” según la Nota General de Tecnología para el “desarrollo” o “producción” de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de “transistor de efecto de campo de puerta envolvente” (“GAAFET”). Nota 1: 3E924 incluye “instrucciones de proceso”. Nota 2: 3E924. no aplica para la calificación o el mantenimiento de herramientas. Nota técnica: A los efectos de 3E924., una “instrucción de proceso” es un conjunto de condiciones, parámetros e instrucciones para un paso de proceso en particular.
3D902	“Software” especialmente diseñado para el “uso” de equipos especificados en 3B902.
3E923	Tecnología para la programación de software, especificados en 3D914.
4A902	Computadoras, “conjuntos electrónicos” y “componentes” que contienen uno o más circuitos integrados, especificados en el artículo 3A907. Nota técnica: A los efectos de 4A902, las computadoras incluyen “computadoras digitales” y computadoras híbridas.
4D901	Software, tal y como se describe a continuación: a. “Programas informáticos” especialmente diseñados o modificados para el “desarrollo” o la “producción” de equipos o “programas informáticos” especificados en 4A901. b. “Programas informáticos”, distintos de los especificados en 4D901.a., especialmente diseñados o modificados para el “desarrollo” o la “producción” de equipos para elementos especificados en 4A901.b. o 4A901.c.
1C902	Productos derivados del potasio, según se indica: a. Cloruro de potasio (CAS 7447-40-7). b. Abonos de cloruro potasio. c. Abonos minerales o químicos cuya base sea fósforo y potasio. Abonos minerales o químicos cuya base sea nitrógeno, fósforo y potasio.
1E902	Tecnología asociada para la fabricación, desarrollo, utilización de armamento convencional fabricado a través de fabricación aditiva. Nota técnica: A los efectos de 1E902, el armamento convencional incluye aquellas armas según se indica: a. Clasificadas bajo las categorías ML1 y ML2 de la Lista Común Militar Europea. b. Armas de fuego, sus piezas y componentes y municiones según lo contemplado en el Reglamento (UE) 2025/41 del Parlamento y del Consejo de 19 de diciembre de 2024. c. Armas de fuego improvisadas. Nota: “Armas de fuego improvisadas”, incluye cualquier producto, terminado o no terminado, no contemplado bajo los artículos 1E902.a y 1E902.b, pero que puede llevar a cabo las mismas funciones independientemente de su precisión, resistencia, fiabilidad y durabilidad.
3A911	Circuitos electroópticos y circuitos integrados ópticos con 70 o más canales ópticos direccionables, que tengan todas las siguientes características: a. Una o más guías de ondas ópticas; b. Uno o más dispositivos de interferencia óptica interna, líneas de retardo, divisores de haz, desfasadores o resonadores de anillo; y c. Cualquiera de los siguientes: 1. Una o más fuentes integradas en guías de ondas de fotones simples o entrelazados; o 2. Uno o más fotodetectores acoplados a guías de ondas que tengan resolución de fotón cero, fotón único y multifotón. Nota técnica: A los efectos de 3A911, la cantidad de “canales ópticos direccionables” en un “circuito integrado óptico” se calcula de la siguiente manera: (la cantidad de guías de ondas que terminan en un acoplador de salida) + (la cantidad de guías de ondas que están acopladas a un fotodetector especificado en 3A911).
1E924	Tecnología para la fabricación de circuitos electroópticos y circuitos integrados ópticos, especificados en 3A911.
3B915	Equipo diseñado para “unión híbrida” y que tenga todas las características siguientes: 1. Precisión de alineación mejor (menor) que 1 µm; y 2. “Minientorno” clasificado para ISO 3 o mejor. Nota: 3B915 incluye equipos diseñados para unión de matriz a matriz (D2D), matriz a oblea con colocación directa (DP-D2W), D2W colectiva (Co-D2W) y oblea a oblea (W2W). Notas técnicas: A los efectos de 3B915: 1. La “unión híbrida” se define como la unión de metal con metal y de dieléctrico con capas dieléctricas en la misma secuencia de proceso. 2. El “minientorno” es el entorno dentro de la herramienta.
1E925	Tecnología para la fabricación de equipos diseñados para “unión híbrida”, especificados en 3B915.

5A902. Sistemas, equipos y componentes de vigilancia para redes públicas de información y comunicación, no especificados en el artículo 5A001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, diseñados para cualquiera de las siguientes funciones:

1. Monitorización para aplicaciones de interceptación legal (de acuerdo con los requisitos de interceptación legal y de seguridad de las telecomunicaciones para funciones de red ETSI ES 201 158, interfaz de traspaso para interceptación legal del tráfico de telecomunicaciones ETSI ES 201 671 o estándares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente diseñados para ellos.

2. Retención de datos de llamadas (de acuerdo con los requisitos para la interceptación legal de datos por los organismos encargados de hacer cumplir la ley para el manejo de datos ETSI TS 102 656 o estándares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente diseñados para los mismos.

Nota técnica: Los datos de llamadas incluyen información de señalización, origen y destino (por ejemplo, números de teléfono, direcciones IP o MAC, etc.), fecha y hora y origen geográfico de la comunicación.

Nota: el subartículo 5A902 no somete a control los sistemas, equipos o componentes diseñados especialmente para cualquiera de los siguientes propósitos:

a) Facturación,

b) Funciones de recopilación de datos dentro de los elementos de la red,

c) Calidad de servicio de la red, o

d) Satisfacción del usuario.

5D902. Programas informáticos no especificados en el artículo 5D001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, especialmente diseñados o modificados para el desarrollo, producción, uso, configuración funcional y control de rendimiento de los sistemas, equipos y componentes de vigilancia especificados en los artículos 5A902.

4A901. Computadoras cuánticas y ensamblajes electrónicos relacionados y sus componentes, como sigue:

a. Computadoras cuánticas, de acuerdo con los siguientes requisitos;

1. Computadoras cuánticas que admiten 34 o más cúbits físicos, pero menos de 100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 10-4;

2. Computadoras cuánticas que admiten 100 o más cúbits físicos, pero menos de 200, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 10-3;

3. Computadoras cuánticas que admiten 200 o más cúbits físicos, pero menos de 350, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 2x10-3;

4. Computadoras cuánticas que admiten 350 o más cúbits físicos, pero menos de 500, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 3x10-3;

5. Computadoras cuánticas que admiten 500 o más cúbits físicos, pero menos de 700, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 4 x 10-3;

6. Computadoras cuánticas que admiten 700 o más cúbits físicos, pero menos de 1.100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 5 x 10-3;

7. Computadoras cuánticas que admiten 1.100 o más cúbits físicos, pero menos de 2.000, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 6 x 10-3;

8. Computadoras cuánticas que admiten 2.000 cúbits físicos o más totalmente controlados, conectados y en funcionamiento;

b. Dispositivos cúbits y circuitos cúbits, que contengan o admitan grupos de cúbits físicos, y especialmente diseñados para elementos especificado en 4A901;

c. Componentes de control cuántico y dispositivos de medición cuántica, diseñados especialmente para los elementos especificados en 4A901;

Notas:

1. 4A901 se aplica al modelo de circuito (o “gate-based”) y computadores cuánticos unidireccionales (o “measurement-based”, MBQC).

2. Los artículos especificados por 4A901 no necesariamente deben de contener físicamente cualquier cúbit. Por ejemplo, las computadoras cuánticas basadas en esquemas de fotónica no contienen permanentemente un elemento físico que puede ser identificado como un cúbit. Los cúbits fotónicos se generan mientras la computadora está funcionando y luego se descartan.