LegalizeRegeling van de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking van 23 juni 2023, nr. MinBuza.2023.15246-27 houdende invoering van een vergunningplicht voor de uitvoer van geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders die niet zijn genoemd in bijlage I van Verordening 2021/821 (Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders)
Geldende tekst a fecha 2025-11-15
Gelet op artikel 4 van het Besluit strategische goederen;
Besluit:
Artikel 1
In deze regeling wordt verstaan onder:
- −. exporteur: exporteur als bedoeld in artikel 2, onderdeel 3, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;
- −. geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders: productieapparatuur, programmatuur en technologie, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor, als bedoeld in de bijlage bij deze regeling;
- −. inspecteur: de directeur-generaal Douane;
- −. Minister: de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingshulp;
- −. uitvoer: uitvoer als bedoeld in artikel 2, onderdeel 2, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;
- −. Verordening producten voor tweeërlei gebruik: Verordening (EU) 2021/821 van het Europees parlement en de Raad van 20 mei 2021 tot instelling van een Unieregeling voor controle op de uitvoer, de tussenhandel, de technische bijstand, de doorvoer en de overbrenging van producten voor tweeërlei gebruik (herschikking) (PbEU 2021, L 206).
Artikel 2
Het is verboden zonder vergunning van de Minister geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders uit te voeren uit Nederland.
Artikel 3
1.
Een aanvraag voor een vergunning als bedoeld in artikel 2 wordt gedaan door de exporteur en ingediend bij de inspecteur.
2.
De aanvraag bevat in ieder geval:
- a. de naam en het adres van de exporteur;
- b. de bestemming, met inbegrip van de eindbestemming, van de geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders;
- c. de naam en het adres van de ontvanger en eindgebruiker van de geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders.
3.
De inspecteur kan bij de aanvraag in ieder geval verzoeken om de overeenkomst die ten grondslag ligt aan de betreffende uitvoer en om een verklaring betreffende het eindgebruik.
Artikel 4
1.
Aan een vergunning als bedoeld in artikel 2 kunnen voorwaarden en voorschriften worden verbonden.
2.
Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan onder beperkingen worden verleend.
Artikel 5
Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan in ieder geval ingetrokken worden als:
- a. de vergunning is verstrekt op grond van onjuiste of onvolledige gegevens;
- b. de voorschriften, voorwaarden en beperkingen van de vergunning niet in acht zijn genomen;
- c. overwegingen van nationaal buitenlands- en veiligheidsbeleid daartoe aanleiding geven.
Artikel 6
Deze regeling treedt in werking met ingang van 1 september 2023.
Artikel 7
Deze regeling wordt aangehaald als: Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders.
Bijlage. behorende bij de Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders
Algemene noten, acroniemen, afkortingen en definities in bijlage I behorende bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik zijn van overeenkomstige toepassing op deze bijlage.
‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:
| 3B801.a.4 | Apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si), koolstof-gedoteerd silicium, siliciumgermanium (SiGe), of koolstof-gedoteerd SiGe met alle van de volgende eigenschappen: a. Meerdere kamers en middelen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan 0.01 Pa) of een inerte atmosfeer (partiele water en zuurstof druk van minder dan 0.01 Pa) te handhaven tussen processtappen; b. Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en c. Epitaxiale afzettingswerktemperatuur van 685 °C of lager. |
|---|---|
| 3B801.d.1 | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: a. Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); b. Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en c. Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: 1. Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en 2. De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4.0eV. *Technische noot: 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert.* |
| 3B801.d.2 | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een dilectrische constante lager dan 3.3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* |
| 3B801.f.5 | Lithografische apparatuur, als hieronder: Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: a. een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en c. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1.50 nm. *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.* |
| 3B801.f.6 | Lithografische apparatuur, als hieronder: Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: a. een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en c. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1.50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2.40 nm. *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.* |
| 3B801.l | EUV pellicles |
| 3D805 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. |
| 3D806 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. |
| 3D807 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2 of 3B801.l. |
| 3E805 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. |
| 3E806 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. |
| 3E807 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2 of 3B801.l. |
Deze regeling zal met de bijlage en de toelichting in de Staatscourant worden geplaatst.
Artikel 5a
Deze regeling berust mede op artikel 2, vijfde lid, van de Wet strategische diensten.
Bijlage. behorende bij de Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders
Algemene noten, acroniemen, afkortingen en definities in bijlage I behorende bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik zijn van overeenkomstige toepassing op deze bijlage.
| 3B801 | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: | ‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| a. | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: | ||
| 4. | Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met alle van de volgende eigenschappen: | |||
| a. | Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en | Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en | Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en | Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en | ||||
| b. | Een kamer voor epitaxiale afzetting ontworpen voor afzetting op een werktemperatuur van 958 K (685 °C) of lager. | Een kamer voor epitaxiale afzetting ontworpen voor afzetting op een werktemperatuur van 958 K (685 °C) of lager. | Een kamer voor epitaxiale afzetting ontworpen voor afzetting op een werktemperatuur van 958 K (685 °C) of lager. | Een kamer voor epitaxiale afzetting ontworpen voor afzetting op een werktemperatuur van 958 K (685 °C) of lager. | ||||
| 3B801 | c. | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder: | |
| 1. | Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa). | Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa). | Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa). | Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa). | Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa). | |||
| 2. | Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations. | Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations. | Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations. | Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations. | Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations. | |||
| *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | *Noot:* 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten. | ||
| 3B801 | d. | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | Apparatuur voor afzetting, als hieronder: | |
| 1. | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | |||
| a. | Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); | Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); | Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); | Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); | ||||
| b. | Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en | Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en | Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en | Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en | ||||
| c. | Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: | ||||
| 1. | Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en | Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en | Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en | |||||
| 2. | De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4,0eV. | De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4,0eV. | De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4,0eV. | |||||
| *Technische noot:* 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert. | *Technische noot:* 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert. | *Technische noot:* 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert. | *Technische noot:* 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert. | *Technische noot:* 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert. | ||||
| 3B801 | d. | 2. | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. | Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm. | |
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | ||||
| 3B801 | d. | 3. | Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen: | |
| a. | Een metaalbron voor uitgangsstof () ontworpen of aangepast voor temperaturen hoger dan 75 °C; en | Een metaalbron voor uitgangsstof () ontworpen of aangepast voor temperaturen hoger dan 75 °C; en | Een metaalbron voor uitgangsstof () ontworpen of aangepast voor temperaturen hoger dan 75 °C; en | Een metaalbron voor uitgangsstof () ontworpen of aangepast voor temperaturen hoger dan 75 °C; en | ||||
| b. | Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa). | Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa). | Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa). | Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa). | ||||
| *Noot:* 1. De bron voor metaal-uitgangsstof () hoeft niet geïntegreerd te zijn in de apparatuur. | *Noot:* 1. De bron voor metaal-uitgangsstof () hoeft niet geïntegreerd te zijn in de apparatuur. | *Noot:* 1. De bron voor metaal-uitgangsstof () hoeft niet geïntegreerd te zijn in de apparatuur. | *Noot:* 1. De bron voor metaal-uitgangsstof () hoeft niet geïntegreerd te zijn in de apparatuur. | |||||
| 3B801 | d. | 4. | Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen: | Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen: | |
| a. | Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en | Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en | Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en | Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en | ||||
| b. | Een diëlectrische constante van minder dan 3,0 | Een diëlectrische constante van minder dan 3,0 | Een diëlectrische constante van minder dan 3,0 | Een diëlectrische constante van minder dan 3,0 | ||||
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | |||||
| 3B801 | d. | 5. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer. | |
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | ||||
| 3B801 | d. | 6. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer. | Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer. | |
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | ||||
| 3B801 | d. | 7. | Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen: | Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen: | Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen: | Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen: | Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen: | |
| a. | Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of | Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of | Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of | Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of | ||||
| b. | Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag | Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag | Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag | Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag | ||||
| 3B801 | d. | 8. | Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | |
| a. | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 35 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 35 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 35 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 35 nm; | ||||
| b. | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en | ||||
| c. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm. | ||||
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | |||||
| 3B801 | d. | 9. | Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag: | |
| a. | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 70 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 70 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 70 nm; | In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ () groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 70 nm; | ||||
| b. | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en | Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en | ||||
| c. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm. | Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm. | ||||
| *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | *Technische noten: 1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen. 2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.* | |||||
| 3B801 | f. | Lithografische apparatuur, als hieronder: | Lithografische apparatuur, als hieronder: | Lithografische apparatuur, als hieronder: | Lithografische apparatuur, als hieronder: | Lithografische apparatuur, als hieronder: | Lithografische apparatuur, als hieronder: | |
| 5. | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | |||
| a. | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | ||||
| b. | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | ||||
| c. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1,50 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1,50 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1,50 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1,50 nm. | ||||
| *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | |||||
| ‘MRF' = | ‘MRF' = | *(golflengte van de lichtbron in nm) x (K factor) maximale numerieke apertuur* | ||||||
| waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | |||||
| 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | |||||
| 3B801 | f. | 6. | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen: | |
| a. | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm; | ||||
| b. | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en | ||||
| c. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2,40 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2,40 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2,40 nm. | een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2,40 nm. | ||||
| *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | *Technische noten: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:* | |||||
| ‘MRF' = | ‘MRF' = | *(golflengte van de lichtbron in nm) x (K factor) maximale numerieke apertuur* | ||||||
| waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. | |||||
| 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem. | |||||
| 3B801 | f. | 7. | Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6. | Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6. | Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6. | Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6. | Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6. | |
| 3B801 | I. | EUV pellicles | EUV pellicles | EUV pellicles | EUV pellicles | EUV pellicles | EUV pellicles | |
| 3B802 | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: | Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder: |
| c. | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder: | ||
| 1. | Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen: | Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen: | Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen: | Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen: | Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen: | |||
| a. | Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan 21 nm; en | Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan 21 nm; en | Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan 21 nm; en | Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan 21 nm; en | ||||
| b. | Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën: | Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën: | Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën: | Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën: | ||||
| 1. | Een lichtbron met golflengte kleiner dan 400 nm; | Een lichtbron met golflengte kleiner dan 400 nm; | Een lichtbron met golflengte kleiner dan 400 nm; | |||||
| 2. | Een elektronenbundel met een resolutie kleiner (beter) dan of gelijk aan 1,65 nm; | Een elektronenbundel met een resolutie kleiner (beter) dan of gelijk aan 1,65 nm; | Een elektronenbundel met een resolutie kleiner (beter) dan of gelijk aan 1,65 nm; | |||||
| 3. | Een koude veldemissie () elektronenbundelbron; | Een koude veldemissie () elektronenbundelbron; | Een koude veldemissie () elektronenbundelbron; | |||||
| 4. | Twee of meerdere elektronenbundelbronnen. | Twee of meerdere elektronenbundelbronnen. | Twee of meerdere elektronenbundelbronnen. | |||||
| 2. | Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen: | Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen: | Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen: | Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen: | Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen: | |||
| a. | Ontworpen voor integratie in een ‘track’. | Ontworpen voor integratie in een ‘track’. | Ontworpen voor integratie in een ‘track’. | Ontworpen voor integratie in een ‘track’. | ||||
| b. | Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (). | Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (). | Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (). | Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (). | ||||
| *Technische noten: 1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen van fotolak voor lithografieapparatuur. 2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.* | *Technische noten: 1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen van fotolak voor lithografieapparatuur. 2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.* | *Technische noten: 1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen van fotolak voor lithografieapparatuur. 2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.* | *Technische noten: 1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen van fotolak voor lithografieapparatuur. 2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.* | |||||
| 3D805 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. | |||||||
| --- | --- | |||||||
| 3D806 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. | |||||||
| 3D807 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2, 3B801.d.3, 3B801.d.4, 3B801.d.5, 3B801.d.7, 3B801.d.8 of 3B801.l.. | |||||||
| 3D808 | ‘Programmatuur’ speciaal ontworpen voor de ‘ontwikkeling’, de ‘productie’ of het ‘gebruik’ van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B801.d.6, 3B801.d.9, 3B801.c.1, 3B801.c.2. | |||||||
| 3D809 | Programmatuur voor rekenkundig optimaliseren van lithografie (), ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling of productie van patronen op diep ultraviolette (DUV) lithografie maskers. | |||||||
| Technische noot: 1.Rekenkundig optimaliseren van lithografie is het gebruik van computermodellen om de prestatie van een lithografieproces te voorspellen, verbeteren en optimaliseren over een bereik van patronen, processen en systeemcondities. | ||||||||
| 3E805 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.5. | |||||||
| --- | --- | |||||||
| 3E806 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.f.6. | |||||||
| 3E807 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.a.4, 3B801.d.1, 3B801.d.2, 3B801.d.3, 3B801.d.4, 3B801.d.5, 3B801.d.7, 3B801.d.8 of 3B801.l.. | |||||||
| 3E808 | ‘Technologie’ die ‘noodzakelijk’ is voor de ‘ontwikkeling’, ‘productie’ of het ‘gebruik’ van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B801.d.6, 3B801.d.9, 3B801.c.1, 3B801.c.2. |
Deze regeling zal met de bijlage en de toelichting in de Staatscourant worden geplaatst.