LegalizeMATERIAL BELICO
a. Longitud de onda.
b. Densidad de energía.
c. Longitud de impulso.
d. Coeficiente de repetición.
e. Fuente.
f. Orientación del sustrato.
c. Para la cementación en paquete:
Composición y fórmula del paquete;
Composición del gas portador;
Ciclos de tiempo-temperatura-presión;
d. Para la pulverización de plasma:
Composición, preparación y distribución glanulométrica de los polvos;
Composición y parámetros del gas de alimentación;
Temperatura del sustrato;
Parámetros de potencia de la pistola;
Distancia de pulverización;
Angulo de pulverización;
Composición, presión y caudales del gas de recubrimiento;
Control de la pistola y manipulación de la pieza;
e. Para el depósito por pulverización catódica:
Composición y fabricación del blanco;
Posicionamiento geométrico de la pieza y del blanco;
Composición del gas reactivo;
Polarización eléctrica;
Ciclos de tiempo-temperatura-presión;
Potencia del triodo;
Manipulación de la pieza;
f. Para la implantación iónica:
Control del haz y manipulación de la pieza;
Detalles de diseño de la fuente de iones;
Métodos de control del haz de iones y parámetros de la velocidad de
depósito;
Ciclos de tiempo-temperatura-presióng. Para la metalización iónica:
Control del haz y manipulación de la pieza;
Detalles de diseño de la fuente de iones;
Métodos de control del haz de iones y parámetros de la velocidad de
depósito;
Ciclos de tiempo-temperatura-presión;
Velocidad de avance y velocidad de vaporización del material de
revestimiento;
Temperatura del sustrato;
Parámetros de polarización del sustrato.
CATEGORIA 3. ELECTRONICA
A. EQUIPOS, CONJUNTOS Y COMPONENTES
NOTAS:
El criterio respecto a la inclusión en el control de los equipos,
dispositivos y componentes descritos en el apartado 3.A., excepto los
que se describen en el apartado 3.A.1.a.3. a 10. o 3.A.1.a.12., que
estén especialmente diseñados o posean las mismas características
funcionales que otros equipos vendrá determinado por el criterio
respecto a la inclusión en el control de los otros equipos.
El criterio respecto a la inclusión en el control de los circuitos
integrados descriptos en los apartados 3.A.1.a.3. a. 9. o 3.A.1.a.12.
que estén programados o diseñados de manera inalterable para una
función específica vendrá determinado por el criterio respecto a la
inclusión en el control de los otros equipos.
N. B.: Cuando el fabricante o el solicitante de la licencia no puedan
determinar el criterio respecto a la inclusión en el control de los
otros equipos, el criterio respecto a la inclusión en el control de los
circuitos integrados será el que determinen los apartados 3.A.1.a.3. a
o 3.A.1.a.12.
Si el circuito integrado es un microcircuito microcomputador o un
microcircuito microcontrolador realizado sobre una oblea de silicio o
descriptos en 3.A. 1.a.3. que tengan una palabra de datos de 8 bit o
menos, el criterio de será el determinado en el apartado 3.A.1.a.3.
A. 1. a. Circuitos integrados de uso general, según se indica:
NOTAS:
El criterio respecto a la inclusión en el control de las obleas
(terminadas o no) cuya función esté determinada, se evaluará en función
de los parámetros establecidos en el apartado 3.A. 1 .a.
Los circuitos integrados incluyen los siguientes tipos:
"Circuitos integrados monolíticos";
"Circuitos integrados híbridos";
"Circuitos integrados multipastilla" (multichips);
"Circuitos integrados peliculares", incluyendo los realizados en
silicio sobre zafiro;
"Circuitos integrados ópticos".
Circuitos integrados, diseñados o medidos como resistentes a la
radiación como para resistir una de las siguientes dosis:
a. Una dosis total igual o superior a 5 x 105 rad (Si); o
b. Una dosis constante igual o superior de 5 x 108 Rads (Si)/s
Circuitos integrados descritos en los apartados 3.A.1.a.3 a 10 o
3.A.1. a 12., Memorias de lectura solamente, borrables electrónicamente
(EEPROMS), memorias instantáneas (FLASH MEMORIES) o Memorias estáticas
de acceso aleatorio (SRAM) como sigue:
a. Diseñados para trabajar a temperaturas ambientes superiores a los
398 K (+125 °C);
b. Diseñados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a los
218°K (-55°C);o
c. Diseñados para trabajar dentro de todo el rango de temperaturas
entre 218°K (-55°C) y 398°K (+125°C)
NOTA:
Los apartados 3.A.1.a.2. no se aplican a los Circuitos Integrados que
se utilicen en automóviles civiles ni aplicaciones ferroviarias.
Microcircuitos microprocesadores, microcircuitos de microcomputadora
y microcircuitos de microcontroladores que tengan una de las siguientes
especificaciones:
NOTA:
El apartado 3.A.1.a.3. somete a control las procesadores de señales
digitales, las matrices de procesadores digitales y los coprocesadores
digitales.
a. Una unidad lógica aritmética con una anchura de bus de datos externo
de 32 bits o mayor y un rendimiento teórico compuesto (CTP) de 260
millones de operaciones teóricas por segundo (Mtops) o mayor.
b. Fabricado con un semiconductor compuesto y una frecuencia de reloj
superior a 40 Mhz; o
c. Más de un bus de datos o instrucciones o puerta de comunicaciones
para interconexión externa con un procesador paralelo con velocidad de
transferencia que supere 2,5 Mbyt/s;
Circuitos Integrados de memorias producidos con un semiconductor
compuesto
Circuitos integrados convertidores aná-logo-digital y
digital-análogo, según se indica:
a. Análogo a digital que posean una de las características siguientes:
Resolución igual a superior a 8 bits pero inferior a 12 bits con un
tiempo de conversión total a resolución máxima inferior a 10 ns;
Resolución de 12 bits con un tiempo de conversión total a resolución
máxima inferior a 200 ns; o
Resolución superior a 12 bits con un tiempo de conversión total a
resolución máxima inferior a 2 microsegundos:
b. Digital a análogo con una resolución igual o superior a 12 bits y un
"tiempo de establecimiento" inferior a 10 ms;
Circuitos integrados electroópticos o "circuitos integrados ópticos"
para "tratamiento de señal" que reúnan todas las características
siguientes:
a. Uno o más diodos "láser" internos;
b. Uno a más elementos fotodetectores internos, y
c. Guías de ondas ópticas;
Matriz de compuertas programables por el usuario que posean una de
las características siguientes:
a. Número de compuertas equivalente o superior a 30.000 compuertas de 2
entradas; o
b. Un "tiempo de propagación de la compuerta de básica" típico inferior
a 0,4 ns;
Redes lógicas programables por el usuario que posean una de las
características siguientes:
a. Número de compuertas equivalente o superior a 30.000 compuertas de 2
entradas; o
b. Una frecuencia de conmutación ("toggle") superior a 133 MHz;
Circuitos integrales para redes neuronales;
Circuitos integrados desarrollados por encargo donde o el
fabricante desconozca la función que cumplen los Circuitos Integrados
dentro del equipo final, o desconoce el criterio en cuanto a su
inclusión en el control de los equipos en los que vayan a utilizarse
dichos circuitos integrados, y que posean una de las características
siguientes:
a. Más de 208 terminales;
b. Un "tiempo de propagación de la compuerta básica" típico inferior a
0,35 ms; o
c. Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz;
Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en
los apartados
3.A.1.a.3. a 10. o 3.A.1.a.12., fabricados a partir de cualquier
semiconductor compuesto y que posean una de las características
siguientes:
a. Un número de compuertas equivalente o superior a 300 compuertas de 2
entradas cada una; o
b. Una frecuencia de conmutación ("toggle") superior a 1,2 GHz;
Procesadores para realizar la Transformada rápida de Fourier
("FFT") que tengan una o más de las siguientes características:
a. Un tiempo de ejecución para la Transformada Compleja de Fourier de
1.024 puntos de menos de 1 ms.
b. Un tiempo de ejecución para una Transformada Compleja de Fourier de
1N puntos (con N diferente de 1.024) menor de Nlog2N/10.240 ms, donde N
es el número de puntos; o
c. Una capacidad de tránsito directo ("buflerfly throughput") de más de
5,12 MHz
b. Dispositivos de microondas o de ondas milimétricas:
Tubos electrónicos de vacío y cátodos, según se indica:
NOTA:
El apartado 3.A.1.b.1. no somete a control los tubos diseñados o
previstos para funcionar en las bandas de frecuencia de la Norma
Internacional sobre Telecomunicaciones Civiles (ITU) a frecuencias no
superiores a 31 Ghz.
a. Tubos de ondas progresivas, a impulsos o continuas, según se indica:
Que funcionen a frecuencias superiores a 31 GHz;
Dotados de un elemento calefactor de cátodo con un tiempo de subida
hasta la potencia de radio-frecuencia nominal inferior a 3 segundos;
Tubos de cavidades acopladas o sus derivados que posean un "Ancho de
banda instantánea" superior al 7% o una potencia pico que exceda 2,5 Kw;
Tubos tipo hélice o derivados de ellos con una de las siguientes a.
características:
a. Un "ancho de banda instantáneo" de más de una octava y un producto
de la potencia promedio (Expresada en Kw) por el ancho de banda
(expresado en Ghz) mayor de 0,5
b. Un "ancho de banda instantáneo" de una octava o menor y un producto
de la potencia promedio (Expresada en Kw) por el ancho de banda
(expresado en Ghz) mayor de 1; o
c. "Calificados para uso espacial";
b. Tubos amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a 17
dB;
c. Cátodos impregnados para tubos electrónicos, que posean una de las
características siguientes:
Tiempo de subida hasta la potencia de emisión nominal inferior a 3
segundos; o
Capaces de producir una densidad de corriente en emisión continua,
en las condiciones de funcionamiento nominales, superior a 5 A/cm2;
Circuitos integrados de microondas o módulos que contengan
"circuitos integrados monolíticos" con frecuencias de funcionamiento
superiores a 31 GHz;
NOTA:
El apartado 3.A.1.b.2. no somete a control los circuitos ni los módulos
destinados a equipos diseñados o previstos para funcionar en las bandas
de frecuencia de la Norma Internacional sobre Telecomunicaciones
Civiles (ITU) a frecuencias no superiores a 31 GHz.
Transistores de microondas previstas para funcionar a frecuencias
superiores a 31 GHz;
Amplificadores de microondas de estado sólido, según se indica:
a. Que funcionen a frecuencias superiores a 10,5 GHz y posean un "ancho
de banda instantánea" superior a media octava;
b. Que funcionen a frecuencias superiores a 31 GHz;
Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables
electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores
sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de
1,5:1 (fmax/fmin) en menos de 10 microsegundos y que posean una de las
características siguientes:
a. Banda pasante de más de 0,5% de la frecuencia central; o b. Banda de
supresión de menos de 0,5 % de la frecuencia central;
Equipos de microondas capaces de funcionar a frecuencias superiores
a 31 GHz;
Mezcladores y convertidores diseñados para extender el rango de
frecuencias de los equipos descritos en 3.A.2.c., 3.A.2.e o 3.A.2.f.
más allá de los límites que allí se indican.
Amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos
controlados en 3.A.1.b. y que tengan algunas de las siguientes
características:
a. Operen a una frecuencia superior a 3 GHz;
b. Tengan una densidad promedio de salida de potencia que exceda los 80
W/Kg y un volumen de menos de 400 cm3
NOTA:
El apartado 3.A.1.b.8. no somete a control el equipamiento diseñado o
clasificado para operar en bandas asignadas en la Norma Internacional
sobre Telecomunicaciones Civiles.
c. Dispositivos que utilicen ondas acústicas de superficie, según se
indica y sus componentes diseñadas especialmente:
Dispositivos que utilicen las ondas acústicas de superficie y las
ondas acústicas rasantes (poco profundas) (es decir, dispositivos de
"tratamiento de señales" que utilicen las ondas elásticas de
materiales) y que posean una de las características siguientes:
a. Frecuencia portadora superior a 2,5 GHz, o
b. Frecuencia portadora que exceda 1 Ghz, pero menor de 2,5 Ghz y que
posean una de las características siguientes:
Rechazo de lóbulos laterales superior a 55 dB;
Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el
ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100, o
Un ancho de banda superior a 250 Mhz; o
Un retardo de dispersión mayor a 10 us
c. Una frecuencia de portadora de 1 Ghz o menor y que tengan alguna de
las siguientes características
Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el
ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100; o
Un retardo de dispersión mayor a 10 us, o
Rechazo de lóbulos laterales superior a 55 dB y un ancho de banda
superior a 50 MHz;
Dispositivos que utilicen las ondas acústicas de volumen (es decir,
dispositivos de "tratamiento de señales" que utilicen ondas elásticas)
que permitan el tratamiento directo de señales o frecuencias superiores
a 1 GHz;
Dispositivos optoacústicos de "tratamiento de señales" en los que se
utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de
superficie) y ondas luminosas que permita el tratamiento directo de
señales o de imágenes, como el análisis espectral, la correlación o la
convolución;
d. Dispositivos o circuitos electrónicos que contengan componentes
fabricados a partir de materiales "superconductores" diseñados
especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la
"temperatura crítica" de al menos uno de los constituyentes
superconductores y que realicen una de las funciones siguientes:
Amplificación electromagnética:
a. A frecuencias iguales o inferiores a 31 GHz con un factor de ruido
inferior a 0,5 dB; o
b. A frecuencias superiores a 31 GHz;
Conmutadores de corriente para circuitos digitales utilizando
compuertas "superconductoras" con un producto del retardo de
propagación por compuerta (expresadoen segundos) por disipación de
energía por compuerta (expresada en vatios) inferior a 10-14 J, o
Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos
resonantes con valores de Q superiores a 10.000;
e. Dispositivos de alta energía, según se indica:
Pilas y Baterías según se indica:
NOTA:
El apartado 3.A.1.e.1. no somete a control las baterías de volumen
igual o inferior a 27 cm3; (por ejemplo las baterías normalizadas tipo
C o R14 baterías).
a. Celdas primarias pilas o baterías y pilas que posean una densidad de
energía superior a 480 Wh/kg y previstos para funcionar dentro de la
gama de temperaturas comprendidas entre menos de -30 °C (243 K) y más
de 70 °C (343 K);
b. Celdas y baterías recargables que posean una densidad de energía
superior a 150 Wh/kg después de 75 ciclos de carga y descarga a una
corriente de descarga igual a C/5 horas (siendo C la capacidad nominal
en amperes hora) funcionando dentro de la gama de temperaturas
comprendida entre -20 °C (253 K) y más de 60 °C (333 K);
NOTA TECNICA:
La densidad de energía se obtiene multiplicando la potencia media
expresada en vatios (igual al producto de la tensión media, expresada
en voltios, por la corriente media expresada en amperes) por la
duración de la descarga expresada en horas al 75% de la tensión en
circuito abierto y dividiendo por la masa total del elemento (o de la
batería) expresada en kg.
c. Paneles fotovoltaicas "calificadas para uso espacial" y resistentes
a la radiación que posean una potencia específica superior a 160 W/m2 a
una temperatura de funcionamiento de 28 °C (301 K) bajo una iluminación
de 1 kW/m2 procedente de un filamento de tungsteno a 2.527 °C (2.800 K);
Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía, según
se indica:
a. Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz
(condensadores de descarga única) que reúnan todas las características
siguientes:
Tensión nominal igual o superior a 5 kV;
Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg; y
Energía total igual o superior a 25 kJ;
b. Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10
Hz (condensadores de descargas sucesivas) que reúnan todas las
características siguientes:
Tensión nominal igual o superior a 5 kV;
Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg;
Energía total igual o superior a 100 J; y
Vida útil igual o superior a 10.000 ciclos de carga/descarga;
Electroimanes o solenoides "superconductores" diseñados
especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un
segundo y que reúnan todas las características siguientes:
NOTA:
El apartado 3.A.1.e.3. no somete a control los electroimanes o
solenoides superconductores diseñados especialmente para los equipos
médicos de formación de imágenes para resonancia magnética (MRI).
a. La energía entregada durante la descarga excede 10 KJ en el primer
segundo;
b. El diámetro interior de los devanados portadores de corriente sea
superior a 250 mm; y
c. Estén previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una
"densidad de corriente total" en sus devanados superior a 300 A/mm2;
f. Codificadores de posición absoluta con entrada por eje que presenten
una de las características siguientes:
Resolución mejor que 1 parte en 265.000 (resolución de 18 bits) para
la totalidad de la escala; o
Exactitud mejor que + 2,5 segundos de arco;
3.A.2. Equipos electrónicos de uso general:
a. Equipos de grabación, según se indica, y sus cintas magnéticas de
prueba diseñadas especialmente:
Equipos de grabación sobre cinta magnética de instrumentos
analógicos, incluyendo los que permitan el registro de señales
digitales (por ejemplo, utilizando un módulo de grabación digital de
alta densidad (HDDR)) y que posean una de las características
siguientes:
a. Ancho de banda superior a 4 MHz por canal electrónico o pista;
b. Ancho de banda superior a 2 MHz por canal electrónico o pista y que
posean más de 42 pistas, o
c. Error de tiempo de desplazamiento (de base), medido de acuerdo con
los documentos IRIG o EIA pertinentes, inferior a + 0,1 microsegundo:
NOTA:
Los grabadores análogos de cinta magnética especialmente diseñados para
uso en vídeo civil no son considerados grabadores de cinta para
instrumentación
Equipos de grabación de vídeo digital en cinta magnética que posean
una velocidad máxima de transferencia de la interfaz digital superior a
180 Mbit/s. excepto los diseñados especialmente para la grabación de
televisión conforme a las normas o recomendaciones del CCIR o del CEI
sobre aplicaciones civiles de la televisión;
Equipos de grabación digital de datos de instrumentos en cinta
magnética empleando la técnica de barrido helicoidal o la técnica de
cabezas fijas que posean una de las características siguientes:
a. Velocidad máxima de transferencia de la interfaz digital superior a
175 Mbit/s; o
b. "Calificados para uso espacial";
NOTA:
El apartado 3.A.2.a.3. no somete a control los equipos de grabación
analógica de cinta magnética equipados con electrónica de conversión
para la grabación digital de alta densidad (HDDR) y configurados para
grabar únicamente datos digitales.
Equipos con velocidad máxima de transferencia de la interfaz digital
superior a 175 Mbit/s, diseñados para la conversión de equipos de
grabación digital de vídeo en cinta magnética para su utilización como
equipos de grabación de datos de instrumentos digitales;
Digitalizadores de formas de onda y grabadores de transitorios que
tengan las dos características siguientes:
a. Velocidad de digitalización igual o mayor que 200 millones de
muestras por segundo y una resolución de 10 bit o mayor; y
b. Una velocidad continua de pasaje de 2 Gbits/s o mayor
NOTA TECNICA:
Para aquellos instrumentos con una arquitectura de bus paralelo, la
velocidad continua de pasaje es la mayor velocidad de pasaje de palabra
multiplicado por el número de bits en la palabra.
Velocidad continua de pasaje es la mayor velocidad que el instrumento
puede sacar hacia un sistema masivo de almacenamiento digital sin
perder ninguna información sosteniendo la velocidad de muestreo y la
conversión análoga a digital.
b. "Equipos electrónicos sintetizadores de frecuencia" que tengan una
un tiempo de conmutación de una frecuencia a otra de menos de 1 ms
c. "Analizadores de señales", según se indica:
Capaces de analizar frecuencias superiores a 31 GHz;
"Analizadores de señales dinámicos" con un "ancho de banda en tiempo
real" superior a 25,6 KHz, excepto los que utilicen únicamente filtros
de ancho de banda de porcentaje constante (denominados también filtros
de octavas o filtros de octavas fracciona-rias);
d. Generadores de señales de frecuencia por síntesis que produzcan
frecuencias de salida cuya precisión y estabilidad a corto y largo
plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por la frecuencia
patrón interna y que posean una de las características siguientes:
Frecuencia máxima sintetizada superior a 31 GHz;
"Tiempo de conmutación de frecuencia" de una frecuencia seleccionada
a otra inferior a 1 ms; o
Ruido de fase en banda lateral única(SSB) mejor que -(126 + 20
log10F - 20log10f), expresado en dBc/Hz siendo F el desfasaje con
respecto a la frecuencia de funcionamiento expresada en Hz y f la de
frecuencia de funcionamiento expresada en MHz;
NOTA:
El apartado 3.A.2.d. no somete a control los equipos en las que la
frecuencia de salida se produce mediante la adición o la sustracción de
dos o más frecuencias obtenidas mediante osciladores de cuarzo, vaya o
no seguida esta operación de una multiplicación del resultado.
e. Analizadores de redes con una frecuencia de funcionamiento máxima
superior a 40 GHz;
f. Receptores de prueba de microondas que posean las dos
características siguientes:
Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 40 GHz; y
Capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase;
g. Patrones de frecuencia atómicos que posean una de las
características siguientes:
Estabilidad a largo plazo (envejecimiento) inferior a (mejor que) 1
x 10-11 /mes;
o
"Calificados para uso espacial";
NOTA:
El apartado 3.A.2.g.1. no somete a control los patrones de rubidio no
"calificados para uso espacial".
B. EQUIPOS DE ENSAYO, VERIFICACION Y PRODUCCION
Equipos para la fabricación o verificación de dispositivos o de
materiales semiconductores, según se indica, y sus componentes y
accesorios diseñados especialmente:
B. 1. Equipos de crecimiento epitaxial "controlados por programa
almacenado", según se indica:
a. Capaces de producir capas de espesor uniforme con una precisión
inferior a (mejor que) + 2,5% sobre una distancia igual o superior a 75
mm o más;
b. Reactores de deposición por vapor químico metálico-orgánico (MOCVD)
diseñados especialmente para el crecimiento de cristales de
semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales
sometidos a control por las apartados 3.C.3. o 3.C.4.;
c. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen
fuentes de gas;
B. 2. Equipos "controlados por programa almacenado" diseñados para
la implantación iónica y que posean una de las características
siguientes:
a. Tensión de aceleración superior a 200 keV;
b. Diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una tensión
de aceleración inferior a 10 keV;
c. Con capacidad de escritura directa; o
d. Con capacidad de implantación a alta energía de oxígeno en un
sustrato de material semiconductor calentado;
B. 3. Equipos "controlados por programa almacenado" para el ataque,
por métodos con plasma anisotrópico en seco según se indica:
a. Con funcionamiento cassete a cassete y bloqueos de carga y que
posean una de las características siguientes:
Confinamiento magnético; o
Ciclotrón de Resonancia Electrónica (ECR);
b. Diseñados especialmente para equipos sometidos a control por el
apartado 3.B.6. y que posean una de las características siguientes:
Confinamiento magnético; o
Ciclotrón de Resonancia Electrónica (ECR);
B. 4. Equipos de depósito en fase de vapor por método químico
intensificado por plasma "controlados por programa almacenado" (CVO),
según se indica:
a. Con funcionamiento cassete a cassete y bloqueos de carga, y que
posean una de las características siguientes:
Confinamiento magnético; o
Ciclotrón de Resonancia Electrónica (ECR);
b. Diseñados especialmente para equipos sometidos a control por el
apartado 3.B.5. y que posean una de las características siguientes:
Confinamiento magnético; o
Resonancia electrón ciclotrón (ECR);
B. 5. Sistemas centrales de manipulación de obleas "controlados por
programa almacenado" para la carga automática de cámaras múltiples, que
posean interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan
de conectarse más de dos equipos de tratamiento de semiconductores para
formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el
tratamiento secuencial múltiple de las obleas;
NOTA:
El apartado 3.B.5. no somete a control los sistemas robotizados
automáticos de manipulación de obleas que no estén diseñados para
funcionar en un ambiente bajo vacío.
B. 6. Equipos de litografía "controlados por programa almacenado",
según se indica:
a. Equipos de alineación y exposición y de repetición para el
tratamiento de obleas utilizando métodos foto-ópticas o de rayos X y
que posean una de las características siguientes:
Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 400 nm;
Capaz de reproducir un patrón con una resolución mínima de trazo de
0,7 um o mejor;
NOTA:
La medida del trazo mínimo resoluble se calcula según la siguiente
fórmula:
[IMG]
NOTA:
El apartado 3.B.6.a. y 3.C.2.a. son válidos para el período de dos años
desde la fecha de su entrada en vigencia del Acuerdo WASSENAAR y su
renovación en períodos sucesivos requiere del consentimiento unánime de
los piases participantes.
Si al final del período no hubiere consentimiento unánime para
renovarlo, los límites en 3.B.6.a.1. y 2. serán reemplazados con 350 nm
y 0,5 µm respectivamente y el límite en 3.C.2.a. será reemplazado por
350 µm.
b. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el
tratamiento de dispositivos semiconductores utilizando un haz
electrónico, un haz iónico o un haz láser enfocados y deflectados, y
que posean una de las características siguientes:
Tamaño del haz enfocado inferior a 0,2 um:
Capaces de producir figuras de dimensión inferior a 1 um; o
Precisión de recubrimiento mejor que + 0,2 um (3 sigma);
B. 7. Máscaras o retículas, según se indica:
a. Para circuitos integrados sometidos a control por el apartado 3.A.1.;
b. Máscaras multicapa con una capa desfasada;
B. 8. Equipos de verificación "controlados por programa almacenado"
diseñados especialmente para la verificación de dispositivos
semiconductores y de pastillas no encapsuladas, según se indica:
a. Medición de parámetros S de transistores a frecuencias superiores a
31 GHz;
b. Verificación de circuitos integrados, con capacidad para realizar
pruebas de funcionamiento (tabla de verdad) a una cadencia de señal
superior a 60 Mhz;
NOTA:
El apartado 3.B.8.b. no somete a control los equipos diseñados
especialmente para la verificación de:
"Conjuntos" o "categorías de conjuntos" para aplicaciones domésticas
o de esparcimiento;
Componentes electrónicos, "conjuntos" o circuitos integrados no
sometidas a control.
c. Para la verificación de circuitos integrados de microondas a
frecuencias superiores a 3 Ghz;
NOTA:
El apartado 3.B.8.c. no somete a control los equipos de prueba
diseñados especialmente para la verificación de circuitos integrados de
microondas destinados a equipos diseñados o previstos para funcionar en
las bandas de la Norma Internacional de Telecomunicaciones Civiles
(ITU) a frecuencias no superiores a 31 GHz.
d. Sistemas de haz electrónico diseñados para funcionar a 3 keV o
menos, o sistemas de haz "láser" para la prueba sin contacto de
dispositivos semiconductores bajo tensión, que reúnan las dos
características siguientes:
Capacidad estroboscópica con o borrado del haz o detección
estroboscópico; y
Espectrómetro electrónico para medidas de tensión con una resolución
inferior a 0,5 V.
NOTA:
El apartado 3.B.8.d. no somete a control los microscopios electrónicos
de barrido excepto cuando estén diseñados y equipados especialmente
para la prueba sin contacto de dispositivos semiconductores bajo
tensión.
C. MATERIALES
C. 1. Materiales heteroepitaxiales consistentes en un sustrato con
capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial:
a. De silicio;
b. De germanio; o
c. De compuestos III / V de galio o indio;
NOTA TECNICA:
Los compuestos III / V son productos policristalinos o productos
monocristalinos binarios o complejos constituidos por elementos de los
grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeleyev
(arseniuro de galio, arseniuro de galio-aluminio, fosfuro de indio,
etc.).
C. 2. Materiales de protección (resists), según se indica, y
"sustratos" revestidos con materiales de protección sometidos a control:
a. Materiales de protección positivos con una respuesta espectral
optimizada para su utilización por debajo de 370 nm;
b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su
utilización bajo haces de electrones o haces iónicos, y que posean una
sensibilidad de 0,01 microculombio/mm2 o mejor;
c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su
utilización bajo el efecto de los rayos X y que posean una sensibilidad
de 2,5 mJ/mm2 o mejor;
d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para
tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluyendo los
materiales de protección silicados;
NOTA TECNICA:
Los métodos de silicación son procesos que incluyen la oxidación de la
superficie del material de protección con el fin de mejorar el
comportamiento de revelado tanto en húmedo como en seco.
C. 3. Compuestos orgánico-inorgánicos, como se indica:
a. Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una
pureza (del metal) superior al 99,999%;
b. Compuestos organo-arsénico, organo-antinonio y organo-fósforo
teniendo una pureza (de los elementos inorgánicos) superior al 99,999%.
NOTA:
El apartado 3.C.3. sólo controla compuestos cuyo metal, parte metálica
o elementos no metálicos están directamente ligados al carbón en la
parte orgánica de la molécula
C. 4. Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza
superior al 99,999%, incluso diluidos en gases neutros o hidrógeno
NOTA:
El apartado 3.C.4. no somete a control los hidruros que contienen el
20% molar o más de gases inertes o de hidrógeno.
D. PROGRAMA INFORMATICO ("SOFTWARE")
D. 1. Programa informático ("Software") diseñado especialmente para
el ''desarrollo" o la "producción" de equipos sometidos a control por
los apartados 3.A.1.b. a 3.A.2.h. o 3.B.;
D. 2. Programa informático diseñado especialmente para la
"utilización" de equipos "controlados por programa almacenado"
sometidos a control por el apartado 3.B.;
D 3. Programa informático ("Software") de diseño asistido por
computadora (CAD) para dispositivos semiconductores o circuitos
integrados, que posean una de las características siguientes:
a. Reglas de diseño o reglas de verificación de circuitos;
b. Simulación de los circuitos diseñados; oc. Simuladores de proceso
litográfico para el diseño.
NOTA TECNICA:
Un simulador de proceso litográfico es un paquete de programa
informático ("Software") utilizado en la fase de diseño para definir la
secuencia de las fases de litografía, grabado o depósito, destinadas a
transformar figuras de máscara en figuras topográficas específicas en
los conductores, los dieléctricos o los materiales semiconductores.
NOTA:
El apartado 3.D.3. no somete a control los programas informáticos
diseñados especialmente para la introducción del esquema, la simulación
lógica, la colocación y el trazado del recorrido, la verificación del
esquema o la cinta de generación de pistas;
N.B.: Las librerías, los atributos de diseño y los datos conexos para
el diseño de dispositivos semiconductores o de circuitos integrados se
consideran como tecnología.
3.E. TECNOLOGIA
E. 1. Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para
el "desarrollo" o la "producción" de equipos o materiales sometidos a
control por los apartados 3.A., 3.B. o 3.C.;
NOTA:
El apartado 3.E.1. no somete a control la tecnología para el
"desarrollo" o la "producción" de los dispositivos siguientes:
a. Transistores de microondas que funcionen a frecuencias inferiores a
31 GHz;
b. Circuitos integrados sometidos a control por los apartados 3.A.1. a
3.a.12. y que reúnan las dos características siguientes:
Empleo de tecnología de una micra o más; y 2. Carencia de
estructuras multicapa.
N.B.: La presente nota no limita la exportación de tecnología multicapa
para dispositivos que contengan, como máximo, dos capas metálicas y dos
capas de silicio policristalino.
E. 2. Otras tecnologías para el "desarrollo" o la "producción" de
los dispositivos siguientes:
a. Dispositivos microelectrónicos de vacío;
b. Dispositivos semiconductores de he-tero-estructura tales como los
transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), transistores
heterobipolares (HBT), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
c. Dispositivos electrónicos "superconductores".
d. Substratos o partículas de diamante para componentes electrónicos.
CATEGORIA 4 COMPUTADORAS
NOTA 1:
Las computadoras, el equipo conexo o los "programas informáticos
(software)" que realicen funciones de telecomunicaciones o de "redes de
área local" deberán evaluarse también con arreglo a las características
de funcionamiento definidas en la categoría 5 (telecomunicaciones).
N B. 1.: Las unidades de control que interconectan directamente los
buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la "memoria
principal" o de controladores de discos, no se consideran como equipos
de telecomunicaciones descritos en la categoría 5 (telecomunicaciones).
N B. 2.: Para lo relacionado con la situación de control de "programas
informáticos (software)" que permiten el rateo o la conmutación de
paquetes por "datagrama" o "selección rápida" (es decir la selección de
ruta paquete por paquete), o con la situación de control de "programas
informáticos (software)" diseñados especialmente para la conmutación de
paquetes, véase la categoría 5 (telecomunicaciones).
NOTA 2:
Las computadoras, el equipo conexo o los "programas informáticos
(software)" que realicen funciones criptográficas, criptoanalíticas, de
seguridad multinivel certificable o de aislamiento del usuario
certificable, o que limiten la compatibilidad electromagnética (EMC),
deberán evaluarse igualmente con arreglo a las características de
funcionamiento definidas en la categoría 5 (seguridad de la
información).
A. EQUIPOS, MONTAJES Y COMPONENTES
A. 1. Computadoras electrónicas y equipo conexo, según se indica, y
sus "montajes" y componentes especialmente diseñados:
a. Diseñados especialmente para presentar una de las características
siguientes:
Funcionar a una temperatura ambiente inferior a -45°C (228 K) o
superior a 85° C (358 K);
NOTA:
El apartado 4.A.1.a.1. no es aplicable a las computadoras diseñadas
especialmente para aplicaciones en automóviles civiles y trenes.
Tener una resistencia a la radiación que sea superior a una de las
siguientes especificaciones:
a. Dosis total 5 x 105 Rads (Si);
b. Modificación de la velocidad de dosis 5 x 108 Rads (Si)/sec; o
c. Modificación por fenómeno único 1 x 10-7 Error/bit/día;
b. Que posean características o realicen funciones superiores a los
límites definidos en la categoría 5 (seguridad de la información);
A. 2. "Computadoras híbridas", según se indica, y sus "montajes" y
componentes diseñados especialmente:
a. Que contengan "computadoras digitales" sometidas a control por el
apartado 4.A.3;
b. Dotados de convertidores analógico a digital que reúnan las dos
características siguientes:
32 canales o más; y
Una resolución igual o superior a 14 bits (más el bit de signo) con
una velocidad de conversión igual o superior a 200.000 conversiones.
A. 3. "Computadoras digitales", "montajes" y su equipo conexo, según
se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos:
NOTAS:
El apartado 4.A.3. incluye los procesadores vectoriales, los
procesadores matriciales, los procesadores lógicos y los equipos para
el "mejoramiento de imágenes" o "procesamiento de señales".
La situación de control de las "Computadoras digitales" y su equipo
conexo descritos en el apartado 4.A.3 se rige por la situación de
control de los otros equipos o sistemas, siempre que:
a. Las "computadoras digitales" o su equipo conexo sean esenciales para
el funcionamiento de los otros equipos o sistemas.
b. Las "Computadoras digitales" o su equipo conexo no sean un "elemento
principal" de los otros equipos o sistemas; y
N.B.1: La situación de control de los equipos de "procesamiento de
señales" o de "mejoramiento de imágenes", diseñados especialmente para
otros equipos, que posean funciones limitadas por los requerimientos de
esos equipos, viene determinada por la situación de control de los
otros equipos aunque se sobrepase el criterio de "elemento principal".
N.B.2: En lo que se refiere a la situación de control de las
"computadoras digitales" y su equipo conexo para equipos de
telecomunicaciones, véase la categoría 5 (telecomunicaciones).
c. La tecnología relativa a las "computadoras digitales" y su equipo
conexo se rige por el apartado 4.E.
A. 3. a. Diseñados o modificados por "tolerancia a falla"
NOTA:
Por propuesta del apartado 4.A.3.a., las "computadoras digitales" y sus
equipos conexos no deberán ser considerados como equipos diseñados con
tolerancia o modificables por "falta de la misma", si utilizan:
Detección de error o algoritmos de corrección en la "memoria
principal"
Interconexión de dos "computadoras digitales" para que en el caso de
que la unidad central de procesamiento activa fallara, una unidad
central de procesamiento idéntica redundante pueda mantener el sistema
funcionando;
Interconexión entre dos unidades centrales de proceso mediante el
uso de canales de datos o memoria compartida, para permitir a una
unidad central de proceso realizar otro trabajo hasta que falle la
segunda unidad central de proceso, en cuyo momento la primera unidad
central de proceso toma el relevo para mantener el funcionamiento del
sistema; o
La sincronización de dos unidades de procesamiento central por
"programas informáticos" para que, en el caso de producirse una falla,
la otra pueda reconocerlo y recuperar las tareas.
A. 3. b. "Computadoras digitales" que posean una "velocidad teórica
global" (CTP) superior a 710 (Mtops) "millones de operaciones teóricas
por segundo";
NOTA:
Los Gobiernos acuerdan revisar 4.A.3.b. seis meses después de entrar en
vigencia las Listas teniendo en cuenta, (inter alia), patrones
relevantes de adquisición y transferencia de datos. Los Gobiernos
acuerdan adicionalmente desplazar el nivel de control a un factor de
1.350 Mtops, o a un factor apropiado mayor basado en una revisión
técnica, un año después de la entrada en vigencia de estas Listas.
A. 3. c. "Montajes" diseñados o modificados especialmente para
reforzar las prestaciones mediante el agregado de "elementos de
proceso" ("CEs"), de tal forma que el "CTP" resultante del agregado
exceda el límite especificado en 4.A.3.b.
NOTA:
El apartado 4.A.3.c. solo es aplicable a los "montajes" y a las
interconexiones programables que no sobrepasen naturalmente el límite
especificado en el apartado 4.A.3.b., cuando se expidan como "montajes"
no integrados. No se aplica a los "montajes" limitados intrínsecamente
por la naturaleza de su diseño, como ocurre con los equipos conexos
sometidos a control por los apartados 4.A.3.d., e. o f.
El apartado 4.A.3.c. no somete a control a los "montajes" diseñados
especialmente para un producto o una familia de productos cuya
configuración máxima no sobrepase el límite especificado en el apartado
4.A.3.b.
A. 3. d. Aceleradores gráficos o coprocesadores gráficos con una
"velocidad vectorial tridimensional" superior a 3.000.000;
A. 3. e. Equipamiento que desarrolle conversiones analógicas a
digitales que excedan los límites impuestos en 3.A.1.a.5;
A. 3. f. Equipamiento que contenga "equipamiento terminal de
interface" que excedan los límites impuestos en 5.A.1.b.3;
NOTA:
Por propuesta del apartado 4.A.3.f. el "equipamiento terminal de
interface" incluye las interfaces de "redes de área local", modems y
otras interfaces de comunicaciones. Las interfaces de "redes de área
local" son evaluados como "controladores de accesos a redes".
A. 3. g. Equipamiento especialmente diseñado para proveer
interconexión externa con "computadoras digitales" o equipos asociados,
los cuales permitan una tasa de comunicación de datos superior a 80
Mbytes/s.
NOTA:
El apartado 4.A.3.g. no controla equipamiento de interconexión interna
(ej. cable plano, buses) o equipamiento de interconexión pasiva.
A. 4. Computadoras, según se indica, su equipo conexo, "montajes" y
componentes diseñados especialmente para éstos:
a. "Computadoras sistólicas";
b. "Computadoras neuronales";
c. "Computadoras ópticas".
B. EQUIPOS DE ENSAYO, INSPECCION Y PRODUCCION: Ninguno.
C. MATERIALES: Ninguno.
D. PROGRAMAS INFORMATICOS (SOFTWARE)
NOTA:
La situación de control de los "programas informáticos (software)" para
el "desarrollo", "producción" o "utilización" de los equipos descriptos
en otras categorías se contempla en dichas categorías. La situación de
control de los "programas informáticos (software)" para los equipos
descriptos en la presente categoría se contempla en esta categoría.
D. 1. "Programas informáticos (software)" diseñados especialmente o
modificados para el desarrollo, la producción o la utilización de
equipos, o "programas informáticos (software)" son controlados por los
apartados 4.A., o 4.D.;
D. 2. "Programas informáticos (software)" especialmente diseñados o
modificados para reforzar "tecnología" son controlados por el apartado
4.E.;
D. 3. "Programas informáticos (software)" específicos, según se
indica:
a. Sistemas operativos, herramientas de desarrollo y compiladores
diseñados especialmente para equipos con "procesamiento múltiple del
flujos de datos" en "lenguaje fuente";
b. "Sistemas expertos" o "programas informáticos (software)" para
máquinas de inferencia de "sistemas expertos" que proporcionen las dos
características siguientes:
Reglas temporales; y
Conceptos básicos para el tratamiento de las características
temporales de las reglas y hechos;
c. "Programas informáticos (software)" que posean características o
realicen funciones que sobrepasen los límites especificados en la
categoría 5 (seguridad de la información);
d. Sistemas operativos diseñados especialmente para equipos que
utilicen "procesamiento en tiempo real" que garanticen un "tiempo de
latencia de interrupción global" inferior a 20 microsegundos.
E. TECNOLOGIA
E. 1. "Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología,
para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de equipos o
"programas informáticos (software)" sometidos a control por los
apartados 4.A. o 4.D;
NOTA TECNICA SOBRE "VELOCIDAD TEORICA GLOBAL" (CTP)
Abreviaturas utilizadas en la presente
NOTA TECNICA
CE "elemento de proceso" (generalmente una unidad lógica aritmética).
FP punto flotante.
XP punto fijo.
t tiempo de ejecución.
XOR OR exclusivo.
CPU unidad central de proceso.
TP desempeño teórico (de un solo CE).
CTP "desempeño teórico global" (de varios CEs).
R tasa efectiva de cálculo.
WL longitud de palabra.
L ajuste de longitud de palabra.
- multiplicación.
El tiempo de ejecución "t" se expresa en microsegundos, TP y CTP en
Mtops (millones de operaciones teóricas por segundo).
La CTP es una medida de la velocidad de proceso expresada en millones
de operaciones teóricas por segundo (Mtops) y WL es una medida
expresada en bits.
Descripción del método de cálculo del "CTP": Para calcular el
"desempeño teórico global" (CTP) de una configuración de elementos de
proceso (CEs) son necesarios los tres pasos siguientes:
Calcular la velocidad de proceso efectiva R de cada "CE";
Aplicar a esa velocidad el ajuste por longitud de palabra, a fin de
obtener una velocidad teórica (TP) para cada "CE". Seleccionar el valor
máximo de (TP) obtenido;
Si hay más de un "elemento de proceso", combinar las (TP) obtenidas
resultando un "desempeño teórico global" para la configuración.
En las siguientes secciones se proporcionan detalles para realizar los
tres pasos anteriores.
NOTA 1:
Para el agregado de múltiples "CEs" que contengan subsistemas de
memoria compartida y no compartida, el cálculo de un "CTP" se completa
jerárquicamente en dos pasos: primero, se agregan los grupos de "CEs"
que comparten memoria; segundo, se calcula el "CTP" de los grupos
utilizando el método de cálculo para múltiples "CEs" que no comparten
memoria.
NOTA 2:
Los "CEs" que están limitados a funciones de entrada/salida y funciones
periféricas, (ej. controladores de disco, controladores de
comunicaciones y de pantalla de vídeo) no son agregados en el cálculo
del "CTP".
NOTA TECNICA SOBRE "CTP"
La siguiente tabla muestra el método de cálculo de la velocidad de
proceso efectiva R para cada elemento de proceso "CE":
PASO 1: Cálculo de la tasa efectiva r
[IMG]
NOTA W:
Para un "CE" configurado en "pipeline" capaz de ejecutar hasta una
operación aritmética o lógica en cada ciclo de reloj después que la
"pipeline" se encuentre llena, se puede establecer una tasa R en la
"pipeline". La tasa de cálculo efectiva R para tal "CE" será la más
rápida entre la tasa de ejecución con "pipeline" y la tasa de ejecución
sin "pipeline"
NOTA X:
Para un CE que realice en un solo ciclo de máquina varias operaciones
aritméticas de un tipo específico (por ejemplo, dos sumas por ciclo o
dos operaciones lógicas idénticas por ciclo), se calculará el tiempo de
ejecución t como:
t= duración del ciclo
número de operaciones idénticas por ciclo de máquina
Los "CE" que realicen en un único ciclo de máquina operaciones
aritméticas o lógicas de diferentes tipos se tratarán como múltiples
"CE" separados que trabajan simultáneamente (por ejemplo, un "CE" que
ejecute una suma y una multiplicación en un ciclo se tratarán como dos
"CE", uno de los cuales efectúa una suma en un ciclo y el otro una
multiplicación en un ciclo).
Si un solo CE tiene funciones escalares y vectoriales, se utilizará el
menor de los tiempos de ejecución.
NOTA Y:
Para los CE que no implementen sumas o multiplicaciones con punto
flotante, pero sí implementen divisiones con punto flotante
será:
[IMG]
Si el CE realiza operaciones en punto flotante recíproca, pero no
realiza sumas, multiplicaciones o divisiones en punto flotante,
entonces:
[IMG]
Si no existen ninguna de las instrucciones especificadas, la tasa
efectiva en punto flotante será igual a cero.
NOTA Z:
En las operaciones lógicas simples, una sola instrucción realiza una
única manipulación lógica de no más de dos operandos de longitud dada.
En las operaciones lógicas complejas, una sola instrucción efectúa
varias manipulaciones lógicas para producir uno o más resultados a
partir de dos o más operandos.
Las tasas se calcularán para todas las longitudes de operando
soportadas, considerando ambas operaciones, con "pipeline" (si es el
caso) y sin "pipeline" utilizando la instrucción de ejecución más
rápida para cada una de las longitudes de operando, como sigue:
Operaciones pipeline o de registro a registro. Se excluirán los
tiempos de ejecución excepcionalmente breves obtenidos por operaciones
sobre un determinado operando u operandos (por ejemplo, multiplicación
por 0 o por 1). Si no se realizan operaciones de registro a registro,
se aplicará el párrafo 2.
La más rápida de las operaciones de registro a memoria o de memoria
a registro; si tampoco existen estas operaciones, se aplicará el
párrafo (3).
De memoria a memoria.
En cada uno de los casos indicados se utilizará el tiempo de ejecución
más corto certificado por el fabricante.
PASO 2: TP para cada longitud de operando wl soportada:
Se ajustará la
tasa efectiva R (o R') mediante el ajuste por longitud de palabra L
según se indica:
TP = R * L
siendo L= (1/3 + WL/96)
NOTA:
La longitud de
palabra WL utilizada en estos cálculos es la longitud en bits del
operando. (Si en una operación se utilizan operandos de diferentes
longitudes, se tomará la longitud de palabra mayor).
La combinación de
una mantisa (ALU) y de un exponente (ALU) de una unidad o procesador de
punto flotante se considera que es un elemento de proceso "CE" con una
longitud de palabra WL igual al número de bits en la representación de
los datos (típicamente 32 o 64) para los propósitos del cálculo del
"CTP".
Este ajuste no se aplica a los procesadores lógicos
especializados que no utilizan instrucciones XOR. En ese caso será TP =
R.
Elija el valor máximo obtenido de TP para:
- Cada CE con punto fijo
únicamente (RXp);
- Cada CE con punto flotante únicamente (Rfp);
- Cada
CE con punto flotante y punto fijo combinados (R);
- Cada procesador
lógico simple que no efectúe ninguna de las operaciones aritméticas
especificadas; y
- Cada procesador lógico especial que no utilice
ninguna de las operaciones aritméticas o lógicas especificadas.
PASO 3:
CTP para agrupaciones de CE, incluyendo unidades centrales de proceso
(CPUs). Para una CPU con un solo CE,
"CTP" = TP
(para "CEs" que realicen
tanto operaciones con punto fijo como con punto flotante TP = max(TPfp"
TPxp))
"CTP" para agrupaciones de varios CEs que funcionen
simultáneamente se calculará de la siguiente manera:
NOTA 1: Para las
configuraciones que no permitan el funcionamiento simultáneo de todos
los CEs, se utilizará la configuración posible de elementos de proceso
que proporcione la mayor "CTP". La TP de cada CE considerado se
calculará con su máximo valor teórico posible, antes de obtener la
"CTP" de la combinación.
N.B.: Para determinar las posibles
combinaciones de CE que operen simultáneamente se genera una secuencia
de instrucción que inicie operaciones en múltiples "CEs", empezando con
el CE más lento (el que necesite el mayor número de ciclos para
completar su operación) y terminando con el CE más rápido. En cada
ciclo de la secuencia, la combinación de "CEs" que se encuentren en
operación durante ese ciclo, será una de las combinaciones posible. La
secuencia de instrucción tiene que tomar en cuenta todas las
limitaciones del equipo físico (hardware) y/o de arquitectura solapada
de las operaciones.
NOTA 2:
Un solo chip o placa de circuitos integrados
puede contener varios CEs.
NOTA 3:
Se asume que existen operaciones
simultáneas cuando el fabricante de la computadora asegura en un manual
o en un folleto de la computadora la existencia de un funcionamiento o
de una ejecución en modo concurrente, paralelo o simultáneo.
NOTA 4:
Los
valores "CTP" no se agregarán para combinaciones de CEs
(inter)conectadas por redes de área local, redes de área extendida,
dispositivos de Entrada/Salida con conexiones compartidas,
controla-dores de Entrada/Salida y cualquier interconexión de
comunicaciones implementadas mediante "progra-mas informáticos"
(software).
NOTA 5:
Los valores de "CTP" deben ser agregados para CEs
múltiples especialmente diseñados para mejorar los resultados mediante
agrupación, operación simultánea y compartimiento de memoria, o
combinaciones -múltiple memoria/"CE"- operando simultáneamente sobre un
equipo físico especialmente diseñado (Hardware).
Esta aplicación no se
aplica a montajes descritos en el párrafo 4.A.3.d.
"CTP" = TP1 + C2 *
TP2 + ... + Cn * TPn,
donde los TPs se ordenan por valores, siendo TP1
el valor más elevado, TP2 el siguiente, y así sucesivamente hasta TPn
el más bajo. Ci es un coeficiente determinado por la fuerza de
interconexión entre los CE, según se indica:
Para varios CE que
comparten una memoria:
C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75
NOTA 1:
Cuando el
"CTP" calculado por el método anterior no exceda de 194 Mtops, se
utilizará la siguiente fórmula para calcular C;
[IMG]
donde m = número de CEs o grupos de CEs que comparten el acceso,
siempre que:
Los TPi; de cada CE o grupos de CEs no excedan de 30
Mtops.
Los CEs o grupos de Ces compartan el acceso a la memoria
principal (excluyendo la memoria "cache") sobre un canal único, y
3.
Solo un CE o un grupo de CEs pueda hacer uso del canal en un tiempo
determinado
N.B.: Esto no se aplica a los puntos controlados por la
categoría 3
NOTA 2:
Los CEs comparten la memoria cuando tienen acceso a
un segmento común de memoria de estado sólido. Esta memoria puede ser
una memoria caché, una memoria principal u otro memoria interna. No se
incluyen los dispositivos de memoria periféricos tales como las
unidades de disco, las unidades de cinta o los discos RAM.
Para varios
CEs que no comparten una memoria, interconectados mediante uno o más
canales de datos:
[IMG]
El valor de Ci se basa en el
número de CEs, no en el número de
nodos.
Donde Ki = min(Si / Kr,1), y
Kr =
factor de normalización de 20 Mbytes/s.
Si = suma de la tasa máxima de
datos (en unidades de Mbytes/s) para todos los canales de datos
conectados al i-ésimo CE o grupo de CEs que comparten la memoria.
Cuando
se calcule un Ci para un grupo de CEs, el número del primer CE en un
grupo determina los límites propios para Ci. Por ejemplo, en una
combinación de grupos consistentes de 3 CEs cada uno, el vigésimo
segundo grupo contendrá CE64, CE65 y CE66. El límite propio para el Ci
de este grupo es 0,60.
Los agregados (de CEs o grupos de CEs) deberán
ser realizadas desde los más rápidos a los más lentos; por ejemplo:
[IMG]
NOTA:
El factor ki no se aplica a los CEs
del 2 al 12 si el TPi de los CEs o grupos de CEs es mayor que 50 Mtops;
por ejemplo Ci para CEs de 2 a 12 es igual a 0,75.
CATEGORIA 5
TELECOMUNICACIONES
PARTE 1 - TELECOMUNICACIONES
NOTA 1:
La presente
categoría define la situación de control de los componentes, "láseres",
equipos de verificación y de producción, sus materiales y sus
"programas informáticos" (software), diseñados especialmente para
equipos o sistemas de telecomunicaciones.
NOTA 2:
Las "computadoras
digitales", equipo conexo o "programas informáticos" (software), cuando
sean esenciales para el funcionamiento y soporte de los equipos de
telecomunicaciones descriptos en esta categoría, se considerarán
componentes diseñados especialmente siempre que sean los modelos
estándar suministrados normalmente por el fabricante. Esto incluye los
sistemas informáticos de explotación, administración, mantenimiento,
ingeniería o facturación.
5.A.1. EQUIPOS, CONJUNTOS Y COMPONENTES
A.
a. Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea una de
las características, funciones o elementos siguientes:
Diseñado
especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o el
impulso electromagnético siguiente a una explosión nuclear;
Reforzado
especialmente para resistir la radiación gama, neutrónica o iónica;
3.
Diseñado especialmente para funcionar fuera de la gama de temperaturas
de -55 °C (218 K) a 124 °C (397 K);
NOTAS:
El apartado 5.A.1.a.3 sólo
es aplicable a los equipos electrónicos.
Los apartados 5.A.1.a.2. y
no son aplicables a los equipos a bordo de satélites.
b. Equipos o
sistemas de transmisión para telecomunicaciones y sus componentes y
accesorios especialmente diseñados, que posean una de las
características, funciones o elementos siguientes:
NOTA: Equipos de
transmisión para telecomunicaciones:
a. Clasificados según se indica, o
constituidos por combinaciones de los equipos siguientes:
Equipos de
radio (por ejemplo transmisores, receptores y transceptores);
Equipos
terminales de línea;
Equipos amplificadores intermedios;
Equipos
repetidores;
Equipos regeneradores;
Trasladares de códigos
(transcoders);
Equipos múltiplex (incluidos los multiplexores
estadísticos);
Moduladores/demoduladores (módem);
Equipos
transmúltiplex (ver Rec. G701 del CCITT);
Equipos de interconexión
digitales "controlados por programa almacenado";
"Puertas" y
puentes;
"Unidades de acceso a los soportes"; y
b: Diseñados para su
empleo en telecomunicaciones monocanal o multicanal, por:
Hilo
conductor (línea);
Cable coaxial;
Cable de fibra óptica;
4.
Radiación electromagnética;
Onda de propagación acústica bajo agua.
c.
Que utilicen técnicas digitales, incluido el proceso digital de señales
analógicas, y estén diseñados para funcionar en el punto de
multiplexado de nivel máximo a una "tasa de transferencia binaria
digital" superior a 45 Mbit/s o a una "tasa de transferencia binaria
digital total" superior a 90 Mbit/s.
d. Equipos que contengan:
1.
"Controladores de canales de comunicaciones" que posean una salida
digital con una "tasa de señalización de datos" superior a 2.1 Mbit/s
por canal; o
"Controladores de acceso a la red" y su medio común
conexo con una "tasa de transferencia digital" superior a 156
Mbit/s;
NOTA:
Si un equipo no controlado contiene un "controlador de
acceso a la red", no puede contener ningún tipo de interfaz de
telecomunicaciones excepto los descriptos, pero no sometidos a control,
por el apartado 5.A.1.b.3.
Que utilicen un "láser" y posean una de
las siguientes características:
a. Longitud de onda de transmisión
superior a 1000 nm;
b. Que utilicen técnicas analógicas y tengan un
ancho de banda superior a 45 MHz;
NOTA:
Esto no se aplica a sistemas de
TV comerciales.
c. Que utilicen técnicas de transmisión óptica coherente
o de detección óptica coherente (también denominadas técnicas ópticas
heterodinas u homodinas);
d. Que utilicen técnicas de multiplexado por
subdivisión de longitudes de onda; o
e. Que realicen "amplificación
óptica";
Equipos de radio que funcionen a frecuencias de entrada o de
salida superiores a 31 GHz;
NOTA:
El apartado 5.A.1.b.5. no somete a
control los equipos diseñados o modificados para operar conforme con
las asignaciones de bandas de la ITU.
Equipos de radio:
a. Que
utilicen técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por
encima del nivel 4, o si la "tasa total de transferencia digital"
excede los 8,5 Mbit/s.
b. Que empleen técnicas de QAM por encima del
nivel 16 si la tasa total de transferencia digital es igual o menor que
8.5 Mbits/s; o
c. Que utilicen otras técnicas de modulación digital y
posean una "eficiencia espectral" superior a 3 bits/s/Hz;
NOTAS:
El
apartado 5.A.1.b.6. no somete a control los equipos diseñados
especialmente para su integración y funcionamiento en un sistema de
satélites para uso civil.
El apartado 5.A.1.b.6. no somete a control
equipamiento de radio para la operación en las bandas asignadas por la
ITU:
a. 1. Que no superen los 900 Mhz; o
Con una tasa detransferencia
total inferior a 8.5 Mbits/s; y
b. Con una eficiencia espectral inferior
a 4 bit/seg/Hz,
Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a
87,5 MHz y posean una de las características siguientes:
a.1. Predicción
y selección automáticas de frecuencias y de "tasas de transferencia
binaria digital totales" por canal para optimizar la transmisión; y
2.
Que contengan una configuración de amplificador de potencia lineal con
capacidad para soportar simultáneamente señales múltiples a una
potencia de salida igual o superior a 1 kW en la gama de frecuencias de
1,5 a 30 MHz o igual o superior a 250 W en la gamade frecuencias de 30
a 87,5 MHz, sobre un "ancho de banda instantáneo" de una octava o más
con un contenido de armónicos y distorsión mejor que -80 dB; o
b.
Provistos de técnicas adaptativas que permitan una supresión de más de
15 dB de una señal de interferencia;
Equipos de radio que utilicen
técnicas de "espectro extendido" (spread spectrum) o de "agilidad de
frecuencia" (frecuency hopping) y posean una de las siguientes
características:
a. Códigos de extensión programables por el usuario;
o
b. Ancho de banda de transmisión total igual o superior a 100 veces el
ancho de banda de cualquiera de los canales de información y superior a
50 kHz;
NOTA:
El apartado 5.A.1.b.8 no controla la operación de equipos
con una potencia de salida de 1.0 watts o menor o los equipos listados
en el subparagrafo b., los cuales son equipos de radio celular operando
en bandas de uso civil.
Receptores de radio controlados digitalmente
que posean más de 1000 canales y reúnan las siguientes
características:
a. Búsqueda o exploración automáticas en una parte del
espectro electromagnético;
b. Identificación de las señales recibidas o
del tipo de transmisor; y
c. Tengan un "tiempo de conmutación de
frecuencias" inferior a 1 ms;
NOTA:
El apartado 5.A.1.b.9 no controla los
equipos de radio celular operando en bandas de uso civil.
Que
realicen funciones de "procesamiento de señales" digital según se
indica:
a. Codificación de voz a velocidades inferiores a 2400 bit/s;
11.
Sistemas de comunicaciones submarinos que posean una de las siguientes
características:
a. Frecuencia portadora acústica fuera de la gama de 20
a 60 kHz;
b. Que utilicen una frecuencia portadora electromagnética
inferior a 30 kHz; oc. Que utilicen técnicas electrónicas de
orientación del haz;
c. Equipos de conmutación "controlados por programa
almacenado" y sistemas conexos de señalización que posean una de las
características, funciones o elementos siguientes, y sus componentes y
accesorios especialmente diseñados para:
NOTA:
Los multiplexores
estadísticos con entrada y salida digitales que permitan la conmutación
se consideran conmutadores "controlados por programa almacenado".
1.
"Señalización por canal común" que opera en modo quasi-asociado o no
asociado;
"Ruteado adaptativo dinámico";
NOTA:
El apartado 5.A.1.c.4.
no incluye los conmutadores de control de paquetes o ruteadores con
puertas o líneas que no excedan los límites en 5.A.1.c.8.
Conmutación
de paquetes, conmutación de circuitos y ruteadores con puertas o líneas
que excedan alguno de:
a. Tasa de señalización de datos de 2.1 Mbits/s
por canal para un controlador de canal de comunicaciones; o
NOTA:
El
apartado 5.A.1.c.8.a no imposibilita el multiplexado sobre un enlace
compuesto de canales de comunicaciones no controlados por
5.A.1.c.8.a.
b. Una tasa de transferencia digital de 156 Mbit/s para un
controlador de acceso de red y medio común conexo;
"Conmutación
óptica";
Que utilicen técnicas de "Modo de Transferencia Asincrónico"
(ATM);
e. Cables de telecomunicaciones de fibra óptica, fibras ópticas y
sus componentes y accesorios diseñados especialmente, según se
indica:
Cables ópticos o fibras ópticas de más de 50 m de longitud
que posean una de las características siguientes:
a. Diseñados para
funcionamiento monomodo; o
b. Fibras ópticas capaces de soportar una
carga de rotura en los "ensayos a plena carga" igual o superior a 2x109
N/m2;
NOTA TECNICA:
Los "ensayos a plena carga" son ensayos de producción
en conexión o desconexión que aplican dinámicamente una carga de rotura
prescrita a una fibra de 0,5 a 3 m de longitud a una velocidad de
arrastre de 2 a 5 mIs mientras pasa entre cabrestantes de 150 mm de
diámetro aproximadamente. La temperatura ambiente nominal es de 293 K y
la humedad relativa nominal del 40%.
N.B.: Se podrán utilizar las
normas nacionales equivalentes para realizar los "ensayos a plena
carga".
Cables de fibra óptica y accesorios diseñados para uso
submarino;
NOTA:
El apartado 5.A.1.e.2 no controla cables y accesorios de
uso estándar en telecomunicaciones civiles. Para los conectores o
penetradores de vaina de fibra óptica, véase el apartado 8.A.2.c.).
f.
Antenas de elementos en fase que funcionen a más de 31 GHZ, excepto las
de los sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisface las normas
de la OACI (Sistemas de aterrizaje de microondas (MLS)).
B. 1.
EQUIPOS DE PRUEBA, DE VERIFICACION Y DE PRODUCCION
a. Los equipos y
componentes diseñados especialmente o accesorios, diseñados para
"desarrollo", "producción" o "uso" de equipamiento, materiales,
funciones o características controladas por la Categoría 5 - parte
1.
NOTA:
El apartado 5.B.1.a. no controla fibras ópticas y equipos de
caracterización de "fibras ópticas preformadas", que no usen "láseres"
semiconductores.
C. 1. MATERIALES
Preformas de vidrio o de cualquier
otro material optimizado para la fabricación de fibras ópticas
sometidas a control por el apartado 5.A.1.e.
D. 1. "PROGRAMAS
INFORMATICOS" (SOFTWARE)
a. "Programas informáticos" diseñados o
modificados especialmente para el "desarrollo", la "producción" o la
"utilización" de los equipos o de los materiales son sometidos a
control por la categoría 5 parte 1.
b. "Programas informáticos"
diseñados o modificados especialmente para el soporte de la
"tecnología" sometida a control por el apartado 5.E.1.;
c. "Programas
informáticos" específicos, según se indica:
"Programas informáticos"
en una forma que no sea ejecutable por máquina, diseñado o modificado
especialmente para la "utilización" de equipos o sistemas de radio
celulares digitales;
"Programas informáticos" diseñados o modificados
especialmente para proporcionar características, funciones o elementos
de los equipos sometidos a control por losapartados 5.A.1. o 5.B.1;
4.
"Programas informáticos" que permitan recuperar el "código fuente" del
"programas informáticos" de telecomunicaciones sometido a control por
la presente categoría;
"Programas informáticos" en forma ejecutable
en máquina, especialmente diseñado para "ruteo dinámico
adoptivo".
NOTA:
Para Programas informáticos para procesamiento de
señales, ver también 4.D y 6.D.
E. 1.
a. "Tecnología" de acuerdo a la
Nota General de Tecnología para el "desarrollo", "producción" o "uso"
(excluyendo operación) de equipamiento, funciones o características,
materiales o "programas informáticos" controlados por Categoría.
5 -
Parte 1.
b. "Tecnologías Específicas" como sigue:
"Tecnología"
requerida para el "desarrollo" o "producción" de equipamiento de
telecomunicaciones especialmente diseñado para ser utilizado a bordo de
satélites;
"Tecnología" para el "desarrollo" o "uso" de técnicas de
comunicación "láser", con la capacidad de adquisición y seguimiento
automático de señales y mantenimiento de comunicaciones a través de la
atmósfera o de un medio debajo de la superficie (agua);
"Tecnología"
para el procesamiento y aplicación de protectores a las fibras ópticas
especialmente diseñadas para su uso debajo del agua;
"Tecnología"
para el desarrollo de equipamiento que emplee técnicas de "Jerarquía
Digital Sincrónica" (SDH) o de "Redes Opticas Sincrónicas" (SONET);
5.
"Tecnología" para el desarrollo de "trama de conmutación" (switch
fabric), que excedan los 64000 bits/s por canal de información;
6.
"Tecnología" para el "desarrollo" de controles centrales de redes o
"ruteo dinámico adaptativo";
"Tecnología" para el "desarrollo" de
sistemas de radio celulares digitales;
"Tecnología" para el
desarrollo de la Red Integrada de Servicios Digitales (ISDN) de banda
ancha.
"Tecnología" para el "desarrollo" de técnicas de Modulación de
Amplitud en Cuadratura (QAM), para equipos de radio por encima del
nivel 4.
"Tecnología" para el "desarrollo" de técnicas de "Espectro
Extendido" o "Agilidad de Frecuencia".
PARTE 2. - "SEGURIDAD DE LA
INFORMACION"
NOTA:
La situación de control de los equipos, "programas
informáticos", sistemas, "Conjuntos" específicos para una aplicación
determinada, módulos, circuitos integrados, y componentes o funciones
destinados a garantizar la "seguridad de la información" se definen en
la presente categoría, aunque se trate de componentes o de "Conjuntos"
de otros equipos.
A. 2. EQUIPOS, CONJUNTOS Y COMPONENTES
A. 2.
Sistemas, equipos "Conjuntos" específicos para una aplicación
determinada, módulos o circuitos integrados destinados a garantizar la
"seguridad de la información", según se indica, y otros componentes
diseñados especialmente para ello:
Para el control de sistemas de
recepción de navegación por satélites que contengan o empleen
desencriptado (ej. GPS o GLONASS), ver 7.A.5.
a. Diseñados o modificados
para utilizar la "criptografía" empleando técnicas digitales destinadas
a garantizar la '"seguridad de la información"
b. Diseñados o
modificados para realizar funciones criptoanalíticas;
c. Diseñados o
modificados para utilizar la "criptografía" empleando técnicas
analógicas destinadas a garantizar la "seguridad de la información",
excepto:
Equipos que utilicen técnicas de mezclado "fijo" de bandas
que no excedan las 8 bandas y en los que los cambios de transposición
no se efectúen más de una vez cada segundo;
Equipos que utilicen
técnicas de mezclado "fijo" de bandas que excedan las 8 bandas y en los
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